Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd1-zZnzTe методом спектральной эллипсометрии
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Представлен программно-аппаратный комплекс на основе спектрального эллипсометра, интегрированного в установку молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенный для контроля состава твердого раствора Cd1-zZnzTe при малых значениях z. Рассмотрены методические особенности определения состава растущих слоев из спектров эллипсометрических параметров. Разработана методика определения состава по краю поглощения, которая позволяет с точностью 1.2% измерять этот параметр. Рассмотрены проблемы, решение которых позволит повысить разрешение по составу. В частности, для этого требуется поддержание стабильной температуры в процессе роста.
- В.С. Варавин, А.К. Гутаковский, С.А. Дворецкий, В.А. Карташов, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, Д.Н. Придачин, В.Г. Ремесник, С.В. Рыхлицкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.П. Титов, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.Л. Асеев. Прикл. физика, 6, 25 (2002)
- К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, С.И. Чикичев, Д.Н. Придачин. Автометрия, 4, 100 (1996)
- К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. ЖТФ, 65 (9), 110 (1995)
- V.A. Shvets, S.V. Rykhlitski, E.V. Spesivtsev, N.A. Aulchenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, R.N. Smirnov. Thin Sol. Films, 455--456, 688 (2004)
- Н.Н. Михайлов, В.А. Швец, С.А. Дворецкий, Е.В. Спесивцев, Ю.Г. Сидоров, С.В. Рыхлицкий, Р.Н. Смирнов. Автометрия, 2, 71 (2003)
- M. Daraselia, G. Brill, J.W. Garland, V. Nathan, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 29 (6), 742 (2000)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67 (1), 39 (2000)
- М.В. Якушев, А.А. Бабенко, В.С. Варавин, В.В. Васильев, Л.В. Миронова, Д.Н. Придачин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков. Прикл. физика, 4, 108 (2007)
- Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Патент РФ N 2302623 (2007)
- В.А. Швец, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий. Опт. и спектр., 97 (3), 514 (2004)
- O. Castaing, R. Granger, J.T. Banhal, R. Triboulet. J. Phys., 8, 5757 (1996)
- S.P. Tobin, J.P. Tower, P.W. Norton, D. Chandler-Norowitz, P.M. Amirtharaj, V.C. Lopes, W.M. Duncan, A.J. Syllaios, C.K. Ard, N.C. Giles, J. Lee. R. Balasubramanian, A.B. Bollong, T.W. Steiner, M.L.W. Thewalt, D.K. Bowen, B.K. Tanner. J. Electron. Mater., 24, 697 (1995)
- S. Adachi. Optical constans of crystalline and amorphous semicnductors (Boston--Dordrecht--London, Kluwer Academic Publishers, 1999) D16
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
