Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах
Фирсов Д.А.1, Shterengas L.2, Kipshidze G.2, Зерова В.Л.1, Hosoda T.2, Тхумронгсилапа П.1, Воробьев Л.Е.1, Belenky G.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Department of Electric and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
2Department of Electric and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York, USA
Поступила в редакцию: 6 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
В структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов InGaAsSb и с барьерами на базе AlGaAsSb и AlInGaAsSb исследована динамика межзонной фотолюминесценции при различных температурах и уровнях возбуждения. Экспериментально определены времена жизни оптически инжектированных носителей заряда в квантовых ямах при разных температурах и уровнях оптического возбуждения. Увеличение скорости рекомбинации в структурах с более глубокими квантовыми ямами InGaAsSb / AlGaAsSb для электронов связывается с проявлением резонансной оже-рекомбинации. Оже-рекомбинация приводит к разогреву электронов и дырок в нижних подзонах размерного квантования. Оценена температура носителей заряда при оже-рекомбинации с использованием уравнения баланса мощности, учитывающего накопление неравновесных оптических фононов. На основе исследованных структур изготовлены лазеры двух типов на длину волны около 3 мкм; показано, что использование пятикомпонентного твердого раствора в качестве материала барьера приводит к улучшению характеристик лазеров.
- Y. Bai, S. Slivken, S.R. Darvish, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 93, 021 103 (2008)
- D.Z. Garbuzov, R.V. Martinelli, H. Lee, R.J. Menna, P.K. York, L.A. DiMarco, M.G. Harvey, R.J. Matarese, S.Y. Narayan, J.C. Connoly. Appl. Phys. Kett., 70, 2931 (1997)
- D.Z. Garbuzov, H.Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J.C. Connoly, G.L. Belenky. IEEE Phot. Technol. Lett., 11, 794 (1999)
- S. Simanowski, N. Herres, C. Mermelstein, R. Kiefer, J. Schmitz, M. Walther, J. Wagner, G. Weinmann. J. Cryst. Growth, 209, 15 (2000)
- Y. Rouillard, F. Genty, A. Perona, A. Vicet, D.A. Yarekha, G. Boissier, P. Grech, A.N. Baranov, C. Alibert. Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A, 359, 581 (2001)
- J.G. Kim, L. Shterengas, R.U. Martinelli, G.L. Belenky, D.Z. Garbuzov, W.K. Chan. Appl. Phys. Lett., 81, 3146 (2002)
- M. Garcia, A. Salhi, A. Perona, Y. Rouillard, C. Sirtori, X. Marcadet, C. Alibert. IEEE Phot. Technol. Lett., 16, 1253 (2004)
- L. Shterengas, G.L. Belenky, J.G. Kim, R.U. Martinelli. Semicond. Sci. Technol., 19, 655 (2004)
- L. Shterengas, G. Belenky, M.V. Kisin, D. Donetsky. Appl. Phys. Lett., 90, 011 119 (2007)
- G.L. Belenky, L. Shterengas, J.G. Kim, R.U. Martinelli, L.E. Vorobjev. Future Trends in Microelectronics, ed. by S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky (John Wiley and Sons, Inc., 2004) p. 349
- K. Shim, H. Rabitz, P. Datta. J. Appl. Phys., 88 (12), 7157 (2000)
- Л.Е. Воробьев, В.Л. Зерова, К.С. Борщев, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, G. Belenky. ФТП, 42 (6), 753 (2008)
- Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008); ФТП, 42 (5), 573 (2008)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- J. Shah. IEEE J. Quant. Electron., 24, 276 (1988)
- G. Rain\`o, A. Salhi, V. Tasco, R. Intartaglia, R. Cingolani, Y. Rouillard, E. Tournie, M. De Giorgi. Appl. Phys. Lett., 92, 101 931 (2008)
- P. Kinsler, P. Harrison, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 58 (8), 4771 (1998)
- В.Л. Зерова, Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря. ФТП, 38 (6), 716 (2003)
- Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова, Д.А. Фирсов. ФТП, 37 (5), 604 (2003).
- Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000)
- J. Chen, D. Donetsky, L. Shterengas, M.V. Kisin, G. Kipshidze, G. Belenky. IEEE J. Quant. Electron., 44 (12), 1204 (2008)
- Spectroscopy of Nonequilibrium Electrons and Phonons, ed. by C.V. Shank, B.P. Zakharchenya (North-Holland Amsterdam-London-N.Y.-Tokyo, 1992) Chap. 3. Non-equilibrium Phonons in Semiconductors
- D.-J. Jang, M. Flatte, C.H. Grein, J.T. Olesberg, T.C. Hasenberg, T.F. Bogges. Phys. Rev. B, 58 (19), 13 047 (1998)
- Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, Г.Г. Зегря. Изв. РАН. Сер. физ., 65 (2), 230 (2001)
- T. Hosoda, G. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, M.V. Kisin. Appl. Phys. Lett., 92, 091 106 (2008)
- L. Shterengas, G. Belenky, G. Kipshidze, T. Hosoda. Appl. Phys. Lett., 92, 171 111 (2008).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
