Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем
1Государственный научно-исследовательский институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ", Москва, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
4Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
4Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Исследованы профили респределения примесей и сопротивления растекания в слоях ферромагнитного кремния, полученных имплантацией Mn (или Co). Стандартные пластины полупроводникового кремния n- и p-типа проводимости с высоким и низким удельным электросопротивлением были имплантированы ионами Mn дозами (1-5)·1016 см-2. Обнаружено, что в результате постимплантационного отжига в вакууме при 850oC в течение 5 мин Mn проявляет свойства амфотерной примеси и компенсирует акцепторы в высокоомном p-Si и доноры в низкоомном n-Si. Показано, что только незначительная часть ионов Mn, 1-2%, проявляет электрическую активность и участвует в компенсации. По величине компенсации определены энергии уровней Ec-0.12 эВ для n-Si и Ev+0.32 эВ для p-Si, принадлежащих ионам Mn в положениях внедрения в кристаллической решетке кремния, соответственно (Mni)-/0 и (Mni)+/++.
- F.M. Zhang, X.C. Liu, J. Gao, X.S. Wu, Y.W. Du, H. Zhu, J.Q. Xiao, P. Chen. Appl. Phys. Lett., 85, 786 (2004)
- M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M.B. Huang, F.G. Ramos, G. Agnello, V.P. La Bella. Phys. Rev. B, 71, 033 302 (2005)
- I.T. Yoon, C.J. Park, T.W. Kang. J. Magn. Magn. Mater., 311, 693 (2007)
- M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M.B. Huang, F.G. Ramos, V.P. La Bella. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 242, 367 (2006)
- P.R. Bandaru, J. Park, J.S. Lee, Y.J. Tang, L.-H. Chen, S. Jin, S.A. Song, J.R. O'Brien. Appl. Phys. Lett., 89, 112 502 (2006)
- A. Wolska, K. Lawniczak-Jablonska, M. Klepka, M.S. Walczak. Phys. Rev. B, 75, 113 201 (2007)
- Е.С. Демидов, Ю.А. Данилов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, М.В. Сапожников, А.И. Сучков. Письма ЖЭТФ, 83, 664 (2006)
- А.Б. Грановский, Ю.П. Сухоруков, А.Ф. Орлов, Н.С. Перов, А.В. Королев, Е.А. Ганьшина, В.И. Зиненко, Ю.А. Агафонов, В.В. Сарайкин, А.В. Телегин, Д.Г. Яркин. Письма ЖЭТФ, 85, 414 (2007)
- S. Zhou, K. Potzger, G. Zhang, A. Mucklich, F. Eichhorn, N. Schell, R. Grotzschel, B. Schmidt, W. Skorupa, M. Helm, J. Fassbender. Phys. Rev. B, 75, 085 203 (2007)
- K. Malik, C.H. de Groot, P. Ashburn, P.R. Wilshaw. Appl. Phys. Lett., 89, 112 122 (2006)
- R. Bader, S. Kalbitzer. Appl. Phys. Lett., 16, 13 (1970)
- А.Ф. Орлов, В.Т. Бублик, В.И. Вдовин, Ю.А. Агафонов, Л.А. Балагуров, В.И. Зиненко, И.В. Кулеманов, К.Д. Щербачев. Кристаллография, 54 (4), 596 (2009)
- H. Lemke. Phys. Status Solidi A, 64, 549 (1981)
- R. Czaputa, H. Feihtinger, J. Oswald. Sol. St. Commun., 47, 223 (1983)
- В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (М., Физматгиз, 2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
