"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем
Орлов А.Ф.1, Балагуров Л.А.1, Кулеманов И.В.1, Пархоменко Ю.Н.1, Картавых А.В.2, Сарайкин В.В.3, Агафонов Ю.А.4, Зиненко В.И.4
1Государственный научно-исследовательский институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ", Москва, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
4Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Исследованы профили респределения примесей и сопротивления растекания в слоях ферромагнитного кремния, полученных имплантацией Mn (или Co). Стандартные пластины полупроводникового кремния n- и p-типа проводимости с высоким и низким удельным электросопротивлением были имплантированы ионами Mn дозами (1-5)·1016 см-2. Обнаружено, что в результате постимплантационного отжига в вакууме при 850oC в течение 5 мин Mn проявляет свойства амфотерной примеси и компенсирует акцепторы в высокоомном p-Si и доноры в низкоомном n-Si. Показано, что только незначительная часть ионов Mn, 1-2%, проявляет электрическую активность и участвует в компенсации. По величине компенсации определены энергии уровней Ec-0.12 эВ для n-Si и Ev+0.32 эВ для p-Si, принадлежащих ионам Mn в положениях внедрения в кристаллической решетке кремния, соответственно (Mni)-/0 и (Mni)+/++.
  1. F.M. Zhang, X.C. Liu, J. Gao, X.S. Wu, Y.W. Du, H. Zhu, J.Q. Xiao, P. Chen. Appl. Phys. Lett., 85, 786 (2004)
  2. M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M.B. Huang, F.G. Ramos, G. Agnello, V.P. La Bella. Phys. Rev. B, 71, 033 302 (2005)
  3. I.T. Yoon, C.J. Park, T.W. Kang. J. Magn. Magn. Mater., 311, 693 (2007)
  4. M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M.B. Huang, F.G. Ramos, V.P. La Bella. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 242, 367 (2006)
  5. P.R. Bandaru, J. Park, J.S. Lee, Y.J. Tang, L.-H. Chen, S. Jin, S.A. Song, J.R. O'Brien. Appl. Phys. Lett., 89, 112 502 (2006)
  6. A. Wolska, K. Lawniczak-Jablonska, M. Klepka, M.S. Walczak. Phys. Rev. B, 75, 113 201 (2007)
  7. Е.С. Демидов, Ю.А. Данилов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, М.В. Сапожников, А.И. Сучков. Письма ЖЭТФ, 83, 664 (2006)
  8. А.Б. Грановский, Ю.П. Сухоруков, А.Ф. Орлов, Н.С. Перов, А.В. Королев, Е.А. Ганьшина, В.И. Зиненко, Ю.А. Агафонов, В.В. Сарайкин, А.В. Телегин, Д.Г. Яркин. Письма ЖЭТФ, 85, 414 (2007)
  9. S. Zhou, K. Potzger, G. Zhang, A. Mucklich, F. Eichhorn, N. Schell, R. Grotzschel, B. Schmidt, W. Skorupa, M. Helm, J. Fassbender. Phys. Rev. B, 75, 085 203 (2007)
  10. K. Malik, C.H. de Groot, P. Ashburn, P.R. Wilshaw. Appl. Phys. Lett., 89, 112 122 (2006)
  11. R. Bader, S. Kalbitzer. Appl. Phys. Lett., 16, 13 (1970)
  12. А.Ф. Орлов, В.Т. Бублик, В.И. Вдовин, Ю.А. Агафонов, Л.А. Балагуров, В.И. Зиненко, И.В. Кулеманов, К.Д. Щербачев. Кристаллография, 54 (4), 596 (2009)
  13. H. Lemke. Phys. Status Solidi A, 64, 549 (1981)
  14. R. Czaputa, H. Feihtinger, J. Oswald. Sol. St. Commun., 47, 223 (1983)
  15. В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (М., Физматгиз, 2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.