Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода

Путято М.А.¹, Болховитянов Ю.Б.¹, Василенко А.П.¹, Гутаковский А.К.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 февраля 2009 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6^o вокруг оси <011>. Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0.1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. PACS: 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.-z

T. Tsuji, H. Yonezu, N.J. Ohshima. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1428 (2004)
J.F. Geisz, J.M. Olson, M.J. Romero. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Waikoloa, Hawaii, May 7-12, 2006)
X. Yu, P.S. Kuo, K. Ma. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1451 (2004)
B. Kunert, K. Volz, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 244, 2730 (2007)
Y. Takagi, H. Yonezu, K. Samonji. J. Cryst. Growth, 187, 42 (1998)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno. Appl. Phys. Lett., 63, 2543 (1993)
B. Kunert, I. Nemeth, K. Volz, W. Stolz. Abstracts Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), May 2007 (Marseille, France) p. 178
M.A. Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakovskii, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R. Semyagin, K.D. Chtcherbatchev. Semicond. Sci. Technol., 18, 417 (2003)
K.G. Tschersich, V. von Bonin. J. Appl. Phys., 84, 4065 (1998)
В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36, 897 (2002)
Ю.В. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178 (5), 459 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель