"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Рагуотис Р.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 26 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой ямы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале. PACS: 73.63.Hs, 72.20.Ht, 72.10.Di
  1. J.G. Ruch, G.S. Kino. Phys. Rev., 174, 921 (1968)
  2. G. Hill, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 589 (1982)
  3. W. Fawcett, A.D. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
  4. J. Pozela, A. Reklaitis. Sol. St. Electron., 23, 927 (1980)
  5. K. Hirakawa, H. Sakaki. J. Appl. Phys., 63, 803 (1988)
  6. Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
  7. В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галлиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009)
  8. J. Povzela, K. Povzela, A. Suvziedelis, V. Juciene, V. Petkin. Acta Phys. Polon. A, 113, 989 (2008)
  9. J. Baek, M.S. Shur, K. Lee, T. Vu. IEEE Trans. Electron. Dev., 32, 2426 (1985)
  10. T.H. Chen, M.S. Chur. IEEE Trans. Electron. Dev., 32, 18 (1985)
  11. M. Tomizawa, K. Yokoyama, A. Yoshii. IEEE Electron. Dev. Lett., 5, 464 (1984)
  12. M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.--London, Plenum Pres, 1986)
  13. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, С. Балакаускас, И.П. Евтихиев, А.С. Школьник, Ю. Стороста, А. Мекис. ФТП, 41, 1460 (2007)
  14. W.T. Masselink, N. Braslau, W.I. Wang, S.L. Weirht. Appl. Phys. Lett., 51, 1533 (1987)
  15. W.T. Masselink. Appl. Phys. Lett., 67, 801 (1995)
  16. M. Inoue, K. Ashida, T. Sugino, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Jpn. J. Appl. Phys., 12, 932 (1973)
  17. K. Yokoyama, K. Hess. Phys. Rev. B, 33, 5595 (1986)
  18. K. Hess. Journal de Physique, 42, C7--3 (1981)
  19. P.J. Price. Ann. Phys., 133, 217 (1981)
  20. C.R. Bennett, M.A. Amato, N.A. Zakhleniuk, B.K. Ridley, M. Babiker. J. Appl. Phys., 83, 1499 (1998)
  21. D.R. Anderson, N.A. Zakhleniuk, M. Babiker, B.K. Ridley, C.R. Bennett. Phys. Rev. B, 63, 245 313 (2001)
  22. B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors", Berlin, 1996 (Singap\=ure, World Scientific, 1996)
  23. I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  24. S.M. Goodnick, P. Lugli. Phys. Rev. B, 37, 2578 (1988)
  25. N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  26. С.И. Борисенко. ФТП, 38, 207 (2004)
  27. W. Xu, F.M. Peeters, J.T. Devreese. Phys. Rev. B, 48, 1562 (1993)
  28. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007)
  29. M. Movsko, A. Movskova. Phys. Rev. B, 44, 10 794 (1991)
  30. M.A.R. Al-Mudares, B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19, 3179 (1986)
  31. F.A. Riddoch, B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, 6971 (1983)
  32. M. Keever, W. Kopp, T.J. Drummond, H. Morkoc, K. Hess. Jpn. J. Appl. Phys., 21, 1489 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.