Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Рагуотис Р.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 26 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой ямы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале. PACS: 73.63.Hs, 72.20.Ht, 72.10.Di
- J.G. Ruch, G.S. Kino. Phys. Rev., 174, 921 (1968)
- G. Hill, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 589 (1982)
- W. Fawcett, A.D. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
- J. Pozela, A. Reklaitis. Sol. St. Electron., 23, 927 (1980)
- K. Hirakawa, H. Sakaki. J. Appl. Phys., 63, 803 (1988)
- Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
- В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галлиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009)
- J. Povzela, K. Povzela, A. Suvziedelis, V. Juciene, V. Petkin. Acta Phys. Polon. A, 113, 989 (2008)
- J. Baek, M.S. Shur, K. Lee, T. Vu. IEEE Trans. Electron. Dev., 32, 2426 (1985)
- T.H. Chen, M.S. Chur. IEEE Trans. Electron. Dev., 32, 18 (1985)
- M. Tomizawa, K. Yokoyama, A. Yoshii. IEEE Electron. Dev. Lett., 5, 464 (1984)
- M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.--London, Plenum Pres, 1986)
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, С. Балакаускас, И.П. Евтихиев, А.С. Школьник, Ю. Стороста, А. Мекис. ФТП, 41, 1460 (2007)
- W.T. Masselink, N. Braslau, W.I. Wang, S.L. Weirht. Appl. Phys. Lett., 51, 1533 (1987)
- W.T. Masselink. Appl. Phys. Lett., 67, 801 (1995)
- M. Inoue, K. Ashida, T. Sugino, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Jpn. J. Appl. Phys., 12, 932 (1973)
- K. Yokoyama, K. Hess. Phys. Rev. B, 33, 5595 (1986)
- K. Hess. Journal de Physique, 42, C7--3 (1981)
- P.J. Price. Ann. Phys., 133, 217 (1981)
- C.R. Bennett, M.A. Amato, N.A. Zakhleniuk, B.K. Ridley, M. Babiker. J. Appl. Phys., 83, 1499 (1998)
- D.R. Anderson, N.A. Zakhleniuk, M. Babiker, B.K. Ridley, C.R. Bennett. Phys. Rev. B, 63, 245 313 (2001)
- B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. "The Physics of Semiconductors", Berlin, 1996 (Singap\=ure, World Scientific, 1996)
- I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
- S.M. Goodnick, P. Lugli. Phys. Rev. B, 37, 2578 (1988)
- N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
- С.И. Борисенко. ФТП, 38, 207 (2004)
- W. Xu, F.M. Peeters, J.T. Devreese. Phys. Rev. B, 48, 1562 (1993)
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007)
- M. Movsko, A. Movskova. Phys. Rev. B, 44, 10 794 (1991)
- M.A.R. Al-Mudares, B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19, 3179 (1986)
- F.A. Riddoch, B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, 6971 (1983)
- M. Keever, W. Kopp, T.J. Drummond, H. Morkoc, K. Hess. Jpn. J. Appl. Phys., 21, 1489 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук