Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности фононных повторений линии фотолюминесценции экситона, связанного на акцепторе в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Исследованы фононные повторения линии фотолюминесценции, относящейся к рекомбинации связанного на акцепторе экситона в квантовых ямах структуры GaAs/AlGaAs. Показано, что рекомбинация такого экситона сопровождается оже-процессом, заключающимся в переводе оставшейся на нейтральном акцепторе тяжелой дырки в возбужденное состояние легкой дырки. При этом высвободившийся момент импульса дырки передается фонону. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 71.35.Ji, 63.20.kd
- Q.X. Zhao, S. Wongmanerod, M. Willander, P.O. Holtz, S.M. Wang, M. Sadeghi. Phys. Rev. B. 63 (19), 195 317 (2001)
- J. Kundrotas, A. Cerskus, S. Asmontas, G. Valusis, M.P. Halsall, E. Johannessen, P. Harrison. Semicond. Sci. Technol., 22 (7), 1070 (2007)
- A. Mooradian, G.B. Wright. Sol. St. Commun., 4 (9), 431 (1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
