"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности фононных повторений линии фотолюминесценции экситона, связанного на акцепторе в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Петров П.В.1, Иванов Ю.Л.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Исследованы фононные повторения линии фотолюминесценции, относящейся к рекомбинации связанного на акцепторе экситона в квантовых ямах структуры GaAs/AlGaAs. Показано, что рекомбинация такого экситона сопровождается оже-процессом, заключающимся в переводе оставшейся на нейтральном акцепторе тяжелой дырки в возбужденное состояние легкой дырки. При этом высвободившийся момент импульса дырки передается фонону. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 71.35.Ji, 63.20.kd
  1. Q.X. Zhao, S. Wongmanerod, M. Willander, P.O. Holtz, S.M. Wang, M. Sadeghi. Phys. Rev. B. 63 (19), 195 317 (2001)
  2. J. Kundrotas, A. Cerskus, S. Asmontas, G. Valusis, M.P. Halsall, E. Johannessen, P. Harrison. Semicond. Sci. Technol., 22 (7), 1070 (2007)
  3. A. Mooradian, G.B. Wright. Sol. St. Commun., 4 (9), 431 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.