Температурные зависимости спин-решеточной релаксации ядер решетки ¹¹³Cd и ¹⁹F в полупроводниковых кристаллах CdF₂ с бистабильными центрами In и Ga показывают, что механизмы релаксации различны для CdF₂ : In и CdF₂ : Ga. Основным механизмом спин-решеточной релаксации ядер ¹¹³Cd в кристалле CdF₂ : In является скалярное контактное взаимодействие ядерных спинов со спинами подвижных носителей в зоне проводимости. Для кристалла CdF₂ : Ga релаксация ядер ¹¹³Cd определяется контактным взаимодействием с электронами, перемещающимися по узкой зоне примесных состояний. Вероятно, тот же механизм определяет и релаксацию ядер ¹⁹F в этом кристалле. Релаксация ядер ¹⁹F в кристалле CdF₂ : In осуществляется посредством диполь-дипольного взаимодействия со спинами электронов, локализованных на водородоподобных орбитах мелких доноров. PACS: 61.18.Fs, 61.72.Hh, 72.20.Jc, 72.25.Rb, 76.60.Es

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.