Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах
Ермолович И.Б.1, Миленин В.В.1, Редько Р.А.1, Редько С.М.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 29 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Исследовались стационарные и кинетические характеристики фотопроводимости и фотолюминесценции, а также спектры термостимулированной проводимости в интервалах температур 4.2-400 K, освещенностей 1010-1023 квант/см2 и длин волн 0.4-2.5 мкм слоев CdTe, осажденных испарением в вакууме на подогретую подложку в зависимости от температуры подложки. Был найден некоторый интервал оптимальных температур подложки Ts~450-550oC, при которых свеженапыленные слои были высокоомными, фоточувствительными и наиболее совершенными по структуре. В этих слоях наряду с известной полосой фотолюминесценции с hnum=1.42 эВ обнаружена новая полоса люминесценции с hnum=1.09 эВ, которая, как установлено, не является рекомбинационной, а обусловлена внутрицентровыми переходами. Обсуждается природа центров излучательной рекомбинации в исследованных слоях. Высказано предположение о возможности принятия участия d-электронов катиона в образовании химических связей локальных центров в CdTe. PACS: 71.55.-i, 78.55.Et, 78.55.-m
- Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Е.В. Корбут, М.М. Борисюк. Теллурид кадмия: примесно-дефектные состояния и детекторные свойства (Киев, Наук. думка, 2000)
- Г.С. Хрипунов. ФТП, 39, 1266 (2005)
- И.Б. Ермолович, В.Л. Булгач, В.Г. Кривуца, В.В. Миленин, Р.А. Редько. Тр. конф. "Сенсорная электроника и микросистемные технологии" (СЭМСТ-1, 2004) с. 135
- J.F. Wang, S.H. Song, Y. Ishikawa, M. Isshiki. Mater. Sci. Engin. B, 117, 271 (2005)
- K.-W. Bentz, V. Babentsov, M. Fiederle. Progr. Cryst. Growth Characterization Mater. 48/49, 189 (2004)
- E. Belas, R. Grill, J. Franc, P. Hlidek, V. Linhart, T. Slavivcek, P. Hoschl. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 591, 200 (2008)
- С.Ю. Паранчич, Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, Ю.В. Танасюк, М.Д. Андрийчук, В.Р. Романюк. ФТП, 39, 744 (2005)
- Ю.Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз. Закономерности образования дефектов в полупроводниках AIIBVI (М., Логос, 2003)
- Н.Г. Стражинский, Б.В. Гринев, Л.П. Гальчипецкий, В.Д. Рыжиков. Сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI. Получение, свойства и особенности применения (Харьков, Изд-во Ин-та монокристаллов, 2007)
- И.Н. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные слои соединений AIIBVI (Л., Изд-во ЛГУ, 1978)
- И.Я. Городецкий, И.Б. Ермолович, Г.Н. Полисский. ФТП, 21, 63 (1987)
- И.Б. Ермолович. Автореф. докт. дис. (Киев, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, 1988)
- C.B. Norris, C.E. Barness. Rev. Phys. Appl., 12, 219 (1977)
- С.А. Медведев. Физика и химия соединений AIIBVI (М., Наука, 1970)
- Дж. Маррел, С. Кеттл, Дж. Теддер. Химическая связь (М., Мир, 1980)
- И.Б. Ермолович, М.К. Шейнкман. УФЖ, 28, 627 (1983)
- П.Ф. Буланый, Н.А. Власенко, И.Б. Ермолович, Ф.Ф. Коджеспиров, Н.К. Коновец, Л.А. Можаровский, М.К. Шейнкман. Опт. и спектр., 30, 299 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.