"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах
Ермолович И.Б.1, Миленин В.В.1, Редько Р.А.1, Редько С.М.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 29 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Исследовались стационарные и кинетические характеристики фотопроводимости и фотолюминесценции, а также спектры термостимулированной проводимости в интервалах температур 4.2-400 K, освещенностей 1010-1023 квант/см2 и длин волн 0.4-2.5 мкм слоев CdTe, осажденных испарением в вакууме на подогретую подложку в зависимости от температуры подложки. Был найден некоторый интервал оптимальных температур подложки Ts~450-550oC, при которых свеженапыленные слои были высокоомными, фоточувствительными и наиболее совершенными по структуре. В этих слоях наряду с известной полосой фотолюминесценции с hnum=1.42 эВ обнаружена новая полоса люминесценции с hnum=1.09 эВ, которая, как установлено, не является рекомбинационной, а обусловлена внутрицентровыми переходами. Обсуждается природа центров излучательной рекомбинации в исследованных слоях. Высказано предположение о возможности принятия участия d-электронов катиона в образовании химических связей локальных центров в CdTe. PACS: 71.55.-i, 78.55.Et, 78.55.-m
  1. Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Е.В. Корбут, М.М. Борисюк. Теллурид кадмия: примесно-дефектные состояния и детекторные свойства (Киев, Наук. думка, 2000)
  2. Г.С. Хрипунов. ФТП, 39, 1266 (2005)
  3. И.Б. Ермолович, В.Л. Булгач, В.Г. Кривуца, В.В. Миленин, Р.А. Редько. Тр. конф. "Сенсорная электроника и микросистемные технологии" (СЭМСТ-1, 2004) с. 135
  4. J.F. Wang, S.H. Song, Y. Ishikawa, M. Isshiki. Mater. Sci. Engin. B, 117, 271 (2005)
  5. K.-W. Bentz, V. Babentsov, M. Fiederle. Progr. Cryst. Growth Characterization Mater. 48/49, 189 (2004)
  6. E. Belas, R. Grill, J. Franc, P. Hlidek, V. Linhart, T. Slavivcek, P. Hoschl. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 591, 200 (2008)
  7. С.Ю. Паранчич, Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, Ю.В. Танасюк, М.Д. Андрийчук, В.Р. Романюк. ФТП, 39, 744 (2005)
  8. Ю.Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз. Закономерности образования дефектов в полупроводниках A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Логос, 2003)
  9. Н.Г. Стражинский, Б.В. Гринев, Л.П. Гальчипецкий, В.Д. Рыжиков. Сцинтилляторы на основе соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Получение, свойства и особенности применения (Харьков, Изд-во Ин-та монокристаллов, 2007)
  10. И.Н. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные слои соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (Л., Изд-во ЛГУ, 1978)
  11. И.Я. Городецкий, И.Б. Ермолович, Г.Н. Полисский. ФТП, 21, 63 (1987)
  12. И.Б. Ермолович. Автореф. докт. дис. (Киев, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, 1988)
  13. C.B. Norris, C.E. Barness. Rev. Phys. Appl., 12, 219 (1977)
  14. С.А. Медведев. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1970)
  15. Дж. Маррел, С. Кеттл, Дж. Теддер. Химическая связь (М., Мир, 1980)
  16. И.Б. Ермолович, М.К. Шейнкман. УФЖ, 28, 627 (1983)
  17. П.Ф. Буланый, Н.А. Власенко, И.Б. Ермолович, Ф.Ф. Коджеспиров, Н.К. Коновец, Л.А. Можаровский, М.К. Шейнкман. Опт. и спектр., 30, 299 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.