Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности рекомбинационных процессов в пленках CdTe, изготовленных при различных температурных режимах роста и последующих отжигах

Ермолович И.Б.¹, Миленин В.В.¹, Редько Р.А.¹, Редько С.М.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 29 декабря 2008 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались стационарные и кинетические характеристики фотопроводимости и фотолюминесценции, а также спектры термостимулированной проводимости в интервалах температур 4.2-400 K, освещенностей 10¹⁰-10²³ квант/см² и длин волн 0.4-2.5 мкм слоев CdTe, осажденных испарением в вакууме на подогретую подложку в зависимости от температуры подложки. Был найден некоторый интервал оптимальных температур подложки T_s~450-550^oC, при которых свеженапыленные слои были высокоомными, фоточувствительными и наиболее совершенными по структуре. В этих слоях наряду с известной полосой фотолюминесценции с hnu_m=1.42 эВ обнаружена новая полоса люминесценции с hnu_m=1.09 эВ, которая, как установлено, не является рекомбинационной, а обусловлена внутрицентровыми переходами. Обсуждается природа центров излучательной рекомбинации в исследованных слоях. Высказано предположение о возможности принятия участия d-электронов катиона в образовании химических связей локальных центров в CdTe. PACS: 71.55.-i, 78.55.Et, 78.55.-m

Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Е.В. Корбут, М.М. Борисюк. Теллурид кадмия: примесно-дефектные состояния и детекторные свойства (Киев, Наук. думка, 2000)
Г.С. Хрипунов. ФТП, 39, 1266 (2005)
И.Б. Ермолович, В.Л. Булгач, В.Г. Кривуца, В.В. Миленин, Р.А. Редько. Тр. конф. "Сенсорная электроника и микросистемные технологии" (СЭМСТ-1, 2004) с. 135
J.F. Wang, S.H. Song, Y. Ishikawa, M. Isshiki. Mater. Sci. Engin. B, 117, 271 (2005)
K.-W. Bentz, V. Babentsov, M. Fiederle. Progr. Cryst. Growth Characterization Mater. 48/49, 189 (2004)
E. Belas, R. Grill, J. Franc, P. Hlidek, V. Linhart, T. Slavivcek, P. Hoschl. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 591, 200 (2008)
С.Ю. Паранчич, Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, Ю.В. Танасюк, М.Д. Андрийчук, В.Р. Романюк. ФТП, 39, 744 (2005)
Ю.Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз. Закономерности образования дефектов в полупроводниках A^IIB^VI (М., Логос, 2003)
Н.Г. Стражинский, Б.В. Гринев, Л.П. Гальчипецкий, В.Д. Рыжиков. Сцинтилляторы на основе соединений A^IIB^VI. Получение, свойства и особенности применения (Харьков, Изд-во Ин-та монокристаллов, 2007)
И.Н. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные слои соединений A^IIB^VI (Л., Изд-во ЛГУ, 1978)
И.Я. Городецкий, И.Б. Ермолович, Г.Н. Полисский. ФТП, 21, 63 (1987)
И.Б. Ермолович. Автореф. докт. дис. (Киев, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, 1988)
C.B. Norris, C.E. Barness. Rev. Phys. Appl., 12, 219 (1977)
С.А. Медведев. Физика и химия соединений A^IIB^VI (М., Наука, 1970)
Дж. Маррел, С. Кеттл, Дж. Теддер. Химическая связь (М., Мир, 1980)
И.Б. Ермолович, М.К. Шейнкман. УФЖ, 28, 627 (1983)
П.Ф. Буланый, Н.А. Власенко, И.Б. Ермолович, Ф.Ф. Коджеспиров, Н.К. Коновец, Л.А. Можаровский, М.К. Шейнкман. Опт. и спектр., 30, 299 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель