"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием
Рабенок Е.В.1, Гапанович М.В.1, Новиков Г.Ф.1, Один И.Н.2
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga2Te3 --- перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Bb, 61.72.uj, 73.50.Gr, 73.61.Ga, 78.60-b
  1. М.В. Гапанович, Н.А. Радычев, Е.В. Рабенок, Д.Н. Войлов, И.Н. Один, Г.Ф. Новиков. Химия высоких энергий, 41 (2), 159 (2007). [M.V Gapanovich, N.A. Radychev, E.V. Rabenok, D.N. Voilov, I.N. Odin, G.F. Novikov. High Energy Chemistry, 41 (2), 126 (2007)]
  2. Г.Ф. Новиков, Е.В. Рабенок, М.В. Алфимов. Химия высоких энергий, 39 (3), 204 (2005). [G.F. Novikov, E.V. Rabenok, M.V. Alfimov. High Energy Chemistry, 39 (3), 167 (2005)]
  3. X. Mathew, P.J. Sebastian. Sol. Energy Mater. \& Sol Cells, 59, 85 (1999)
  4. I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Technol., 17, 1064 (2002)
  5. Ю.В. Метелева, Г.Ф. Новиков. ФТП, 40 (10), 1167 (2006). [Yu.V. Meteleva, G.F. Novikov. Semiconductors, 40 (10), 1137 (2006)]
  6. Н.Л. Сермакашева, Г.Ф. Новиков, Ю.М. Шульга, В.Н. Семенов. ФТП, 38 (4), 395 (2004). [N.L. Sermakasheva, G.F. Novikov, Yu.M. Shul'ga et al. Semiconductors, 38 (4), 395 (2004)]
  7. М.В. Чукичев, Б.М. Атаев, В.В. Мамедов, Я.И. Аливов, И.И. Ходос. ФТП, 38, 1053 (2002)
  8. S.-H. Wie, S.B. Zhang. NCPV Program Review Meeting (Lakewood, Colorado, USA, 2001)
  9. K.S. Chaplin, R.R. Krongard. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, MTT-9, 545 (1961)
  10. R.J. Deri, J.P. Spoonhower. Phys. Rev. B, 25, 2821 (1982)
  11. Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994)
  12. П.М. Фочук, А..А Коровянко, И.Р. Туркевич, О.Е. Панчук. Неорг. матер., 38 (4), 435 (2002)
  13. K. Mochizuki. J. Cryst. Growth., 215, 9 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.