Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выявление особенностей локализации электронов на U^--центрах в полупроводниках методом термостимулированных токов

Никитина А.Г.¹, Зуев В.В.¹

¹Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследованы особенности термостимулированных токов в полупроводнике в присутствии U^--центров в сравнении с ситуациями, когда имеются дефекты с положительной корреляционной энергией или одноуровневые центры. Показано, что анализ нормированной на максимальное значение кривой термостимулированных токов по форме и по наличию или отсутствию смещения ее температурного максимума в зависимости от начального заполнения дает дополнительный необходимый признак для распознавания дефектов с различными характеристиками связи электронов на них. Полученные результаты могут быть использованы при анализе экспериментальных данных по термостимулированным токам, имеющих особенности, которые не получают объяснения в рамках часто эксплуатируемой модели одноуровневых центров. PASC: 61.72.Bd, 61.80.Az, 72.20.Dp, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Jv

R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
M. Kastner, D. Adler, H. Eritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цендина (СПб., Наука, 1996)
G.D. Watkins, J.R. Troxell. Phys. Rev. Lett., 44 (9), 593 (1980)
G.A. Baraff, E.O. Kane, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 43, 956 (1979)
R.D. Harris, J.L. Newton, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett., 48, 1271 (1982)
H.J. Hoffmann. Appl. Phys. A, 19, 307 (1979)
H.J. Hoffmann. Phys. Rev. Lett., 45, 1733 (1980)
H.J. Hoffmann. Appl. Phys. A, 27, 39 (1982)
А.Г. Никитина, В.В. Зуев. ФТП, 42 (4), 389 (2008).
А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977) с. 290
А.Г. Гончарова, В.В. Зуев. ФТП, 24, 660 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель