Вышедшие номера
Выявление особенностей локализации электронов на U--центрах в полупроводниках методом термостимулированных токов
Никитина А.Г.1, Зуев В.В.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Теоретически исследованы особенности термостимулированных токов в полупроводнике в присутствии U--центров в сравнении с ситуациями, когда имеются дефекты с положительной корреляционной энергией или одноуровневые центры. Показано, что анализ нормированной на максимальное значение кривой термостимулированных токов по форме и по наличию или отсутствию смещения ее температурного максимума в зависимости от начального заполнения дает дополнительный необходимый признак для распознавания дефектов с различными характеристиками связи электронов на них. Полученные результаты могут быть использованы при анализе экспериментальных данных по термостимулированным токам, имеющих особенности, которые не получают объяснения в рамках часто эксплуатируемой модели одноуровневых центров. PASC: 61.72.Bd, 61.80.Az, 72.20.Dp, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Jv