"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN
Сизов В.С.1,2, Гуткин А.А.1, Сахаров А.В.1,2, Лундин В.В.1,2, Брунков П.Н.1, Цацульников А.Ф.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Исследованы структуры, содержащие нанослои InGaN в матрицах GaN и AlGaN, представляющие собой активные области светоизлучающих приборов. Измерены спектры и относительная интенсивность фотолюминесценции в диапазоне температур 20-300 K и зависимость положения пика фотолюминесценции от энергии фотонов возбуждающего света. Показано, что для объяснения температурной зависимости фотолюминесценции требуется, помимо безызлучательной рекомбинации через дефекты в матрице и в остаточной квантовой яме, учитывать дополнительный канал рекомбинации с малой энергией активации, по-видимому, связанный с дефектами, находящимися вблизи квантовых точек. Обнаружено, что структуры с матрицей AlGaN имеют более сильное падение интенсивности фотолюминесценции при увеличении температуры от 50 до ~200 K, чем структуры с матрицей GaN. Анализ температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции в модели, рассматривающей 3 указанных канала безызлучательной рекомбинации, показывает, что она связана с уменьшением энергии локализации носителей относительно остаточной квантовой ямы. Такое уменьшение вызвано подавлением фазового распада слоев InGaN, выращенных в матрице AlGaN. Последнее подтверждается измерениями фотолюминесценции при различной энергии возбуждающего фотона и, кроме уменьшения энергии локализации, приводит также к наблюдавшемуся для этих структур уменьшению концентрации центров рекомбинации. PACS: 85.60.Jb, 78,67.Hc, 78.55.Cr
  1. S.V. Karpov, Yu.N. Makarov. Appl. Phys. Lett., 81, 4721 (2002)
  2. S. Nakamura. OIDA Solid-State Lighting Workshop (Albuquerque, May 30, 2002)
  3. M. Vening, D.J. Dunstan, K.P. Homewood. Phys. Rev. B, 48, 4 (1993)
  4. S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri, S. Franchi. Phys. Rev. B, 60, 114 (1999)
  5. Yong-Hoon Cho, T.J. Schmidt, S. Bidnyk, G.H. Gainer, J.J. Song, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. J. Phys. Rev. B, 61, 11 (2000)
  6. Josh Abell, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 92, 091 901 (2008)
  7. M. Vehse, P. Michler, I. Gosling, M. Rowe, J. Gutowski, S. Bader, A. Lell, G. Bruderl, V. Harle. Phys. Status Solidi A, 188 (1), 109 (2001)
  8. J.S. Hwang, A. Gokarna, Yong-Hoon Cho, J.K. Son, S.N. Lee, T. Sakong, H.S. Paek, O.H. Nam, Y. Park, S.H. Park. Appl. Phys. Lett., 85, 8 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.