"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе ZnS
Бобренко Ю.Н.1, Павелец С.Ю.1, Павелец А.М.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Использование сверхтонкой (~10 нм) стабильной пленки p-Cu1.8S в качестве прозрачной составляющей гетероперехода p-Cu1.8S-n-ZnS, а также варизонных слоев позволило получить эффективные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения. Представлены результаты исследования свойств фотоактивных переходов Cu1.8S-ZnS, выращенных на подложках CdS или CdSe с промежуточными варизонными слоями соответственно CdS-ZnxCd1-xS или CdSe-(ZnS)x(CdSe)1-x. При правильном выборе параметров подложек варизонные слои позволяют без дополнительного легирования посторонней примесью всех составляющих гетероструктуры достичь оптимальных характеристик p-n-перехода, реализовать большие электрические поля на контакте Cu1.8S-ZnS и решить проблему создания тыльного омического контакта к ZnS. Варьируя толщину тонкого слоя ZnS, можно контролировать протяженность пространственного заряда в варизонном слое и тем самым управлять длинноволновым краем чувствительности фотопреобразователя. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dw, 85.60.Gz
  1. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  2. С.С. Кильчицкая, В.И. Стриха. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1986) вып. 10, с. 3
  3. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37 (9), 1025 (2003)
  4. K. Hiramatsu, A. Motogaito. Physica Status Solidi A, 195, 496 (2003)
  5. Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, В.М. Ткаченко. Письма ЖТФ, 20 (12), 9 (1994)
  6. Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 29, 750 (1995)
  7. С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35, 626 (2001)
  8. С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, М.Н. Кретулис. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2002) вып. 37, с. 106
  9. Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец. Приборы и техника эксперимента, N 6, 107 (2007)
  10. С.Ю. Павелец, А.А. Стадник, О.А. Мищук, А.М. Павелец. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2005) вып. 40, с. 149
  11. Физика соединений AIIBVI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман (М., Наука, 1986)
  12. О.Ю. Горкун, К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Е.Б. Круликовскя, В.В. Миленин, Б.А. Нестеренко, С.Ю. Павелец, В.Н. Сарылов, В.М. Ткаченко, А.Д. Фаленчук. Укр. физ. журн., 34, 121 (1989)
  13. М.Н. Левин, В.Н. Семенов, О.В. Остапенко. Письма ЖТФ, 28 (10), 19 (2002)
  14. В.Н. Семенов, Е.М. Авербах, Я.А. Угай. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 26, 2030 (1990)
  15. Л.Д. Буденная, П.П. Горбик, В.Н. Комащенко, Г.А. Федорус, Э.В. Шаркина. ФТП, 13, 290 (1979)
  16. С.Ю. Павелец, Г.А. Федорус. ФТП, 9, 1164 (1975)
  17. Р.В. Кантария, С.Ю. Павелец. ФТП, 12, 1214 (1978)
  18. Г. Гарягдыев, Б.Р. Джумаев, И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, А.М. Павелец, Г.А. Пащенко. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1990) вып. 17, с. 56
  19. В.В. Лосев, Б.М. Орлов, В.И. Стафеев. ФТП, 9, 41 (1975)
  20. Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники (Киев, Выш. шк., 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.