"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC
Лебедев А.А.1, Абрамов П.Л.1, Богданова Е.В.1, Зубрилов А.С.1, Лебедев С.П.1, Нельсон Д.К.1, Середова Н.В.1, Смирнов А.Н.1, Трегубова А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6)·1018 см-3. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Mm, 68.55.Jk, 73.61.Le, 78.30.Hv
  1. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Hoboken, N. J., 2001)
  2. A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  3. А.А. Лебедев, П.Л. Абрамов, В.В. Зеленин, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, М.П. Щеглов, А.С. Трегубова. ФТП, 41, 273 (2007)
  4. А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, R. Yakimova. Письма ЖТФ, 33 (12), 61 (2007)
  5. F.R. Chien, S.R. Nutt, W.S. Yoo, T. Kimoto, H. Matsunami. J. Mater. Res., 9 (4), 940 (1994)
  6. A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Technol., 124 (2), 241 (1977)
  7. D.W. Feldman, J.H. Parker, jr., W.J. Choyke, L. Parker. Phys. Rev., 173, 787 (1968)
  8. M.V. Klein. In: Light Scattering in Solids, v. 1, ed. by M. Cardona (Springer, Berlin, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.