"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения
Олих О.Я.1
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (Физический факультет), Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0.6 Вт/см2). Выявлены уровни с термической энергией активации 0.44, 0.40, 0.37, 0.48 и 0.46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом BSO2i, а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса BSO2i. PACS: 43.35.Ty, 71.55.Cn, 61.72.Ji
  1. Л.С. Смирнов. ФТП, 35 (9), 1029 (2001)
  2. В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34 (2), 129 (2000)
  3. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров. УФН, 173 (8), 813 (2003)
  4. Е.М. Зобов, М.Е. Зобов, Ф.С. Габибов, И.К. Камилов, Ф.И. Маняхин, Е.К. Наими. ФТП, 42 (3), 282 (2008)
  5. А.А. Подолян, В.И. Хиврич. Письма ЖТФ, 31 (10), 11 (2005)
  6. Я.М. Олих, Н.Д. Тимочко, А.П. Долголенко. Письма ЖТФ, 32 (13), 67 (2006)
  7. A. Romanyuk, V. Spassov, V. Melnik. J. Appl. Phys., 99, 034 314 (2006)
  8. П.Б. Парчинский, С.И. Власов, Л.Г. Лигай. ФТП, 40 (7), 829 (2006)
  9. С.В. Булярский, М.О. Воробьев, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Письма ЖТФ, 25 (5), 22 (1999)
  10. В.В. Сердюк. Физика солнечных элементов (Одесса, Логос, 1994)
  11. P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29 (10), 1041 (1986)
  12. S.Zh. Karazhanov. Semicond. Sci. Technol., 16 (4), 276 (2001)
  13. J. Schmidt, K. Bothe, D. Macdonald, J. Adey, R. Jones, D.W. Palmer. J. Mater. Res., 21 (1), 5 (2006)
  14. S. Rein, S.W. Glunz. Appl. Phys. Lett., 82 (7), 1054 (2003)
  15. О.Я. Олих, И.В. Островский. ФТТ, 44 (7), 1198 (2002)
  16. J. Adey, R. Jones, D.W. Palmer, P.R. Briddon, S. Oberg. Phys. Rev. Lett., 93 (5), 055 504 (2004)
  17. R.D. Harris, J.L. Newton, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 36 (2), 1094 (1987)
  18. П.Ф. Лугаков, В.Д. Ткачев, В.В. Шуша. ФТП, 13 (5), 875 (1979)
  19. V. Kveder, M. Kittler, W. Schroter. Phys. Rev. B, 63 (11), 115 208 (2001)
  20. В.В. Лукьяница. ФТП, 37 (4), 422 (2003)
  21. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НЛТ, 2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.