"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC
Потапов А.С.1, Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Исследовано влияние отжига на электрические свойства 50 никелевых контактов Шоттки, сформированных на одной пластине 4H-SiC. Показано, что отжиг при температуре 200oC в течение 1 ч способствует гомогенизации гетерограницы металл-полупроводник, что приводит к уменьшению разброса параметров контактов --- фактора неидеальности и эффективной высоты барьера. При более высоких температурах отжига (350-450oC) разброс этих параметров вновь увеличивается, по-видимому, из-за локального химического взаимодействия никеля с карбидом кремния. PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns
  1. D.J. Ewing, L.M. Porter, Q. Wahab, X. Ma. J. Appl. Phys., 101, 114 514 (2007)
  2. W. Bahng, H.J. Cheong, I.H. Kang, S.J. Kim, S.C. Kim, S.-J. Joo, N.-K. Kim. Mater. Sci. Forum, 556- 557, 595 (2007)
  3. Y. Negoro, K. Katsumoto, T. Kimoto, H. Matsunami. Mater. Sci. Forum, 457- 460, 933 (2004)
  4. X. Ma, P. Sadagopan, T.S. Sudarshan. Phys. Status Solidi A, 203 (3), 643 (2006)
  5. Q. Wahab, T. Kimoto, A. Ellison, C. Hallin, M. Tuominen, R. Yakimova, A. Henry, J.P. Bergman, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 72 (4), 445 (1998)
  6. П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 43 (2), 197 (2009)
  7. F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri, P. Musumeci, L. Calcagno, G.G. Condorelli. Appl. Phys. A, 77, 827 (2003)
  8. K. Vassilevski, I. Nikotina, P. Bhatnagar, A. Horsfall, N. Wright, A.G. O'Neill, M. Uren, K. Hilton, A. Munday, A. Hydes, C.M. Johnson. Mater. Sci. Forum, 527- 529, 931 (2006)
  9. Q. Zhang, T.S. Sudarshan. J. Electron. Mater., 30 (11), 1466 (2001)
  10. D. Defives, O. Noblanc, C. Dua, C. Brylinski, M. Barthula, V. Aubry-Fortuna, F. Meyer. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (3), 449 (1999)
  11. B.J. Skromme, E. Luckowski, K. Moore, M. Bhatnagar, C.E. Weitzel, T. Gehoski, D. Ganser. J. Electron. Mater., 29 (3), 376 (2000)
  12. R.F. Schmitsdorf, T.U. Kampen, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (4), 1221 (1997)
  13. D.J. Ewing, Q. Wahab, S. Tumakha, L.J. Brillson, X.Y. Ma, T.S. Sudarshan, L.M. Porter. Mater. Sci. Forum, 527- 529, 911 (2006)
  14. A. Kestle, S.P. Wilks, P.R. Dunstan, M. Pritchard, G. Pope, A. Koh, P.A. Mawby. Mater. Sci. Forum, 338- 342, 1025 (2000)
  15. F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri. J. Appl. Phys., 93 (11), 9137 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.