Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки при произвольной температуре

Кузнецова И.А.¹, Юшканов А.А.², Хадчукаев Р.Р.¹

¹Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия Demidov State University, Yaroslavl, Russia

²Московский государственный областной университет, Москва, Россия Moscow State Regional University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 января 2008 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках классической кинетической теории исследуется высокочастотная проводимость тонкой прямой полупроводниковой проволоки круглого сечения. Расчет проводится для случая примесного полупроводника с простой зонной структурой при произвольном вырождении. Соотношение между радиусом проволоки и длиной свободного пробега носителей заряда считается произвольным. Рассматривается диффузный механизм отражения носителей заряда от границы проволоки. PACS: 72.20.Dp, 73.50.Gr, 73.50.Mx

R.B. Dingle. Proc. Roy. Soc. A, 201, 545 (1950)
F. Pierre, A.B. Gougam, A. Anthore, H. Pothier, D. Esteve, Norman O. Birge. Phys. Rev. B, 68, 085 413 (2003)
Э.В. Завитаев, А.А. Юшканов. ЖЭТФ, 129 (5), 938 (2006)
Э.В. Завитаев, А.А. Юшканов. ЖТФ, 77 (6), 139 (2007)
А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. (М., Наука, 1978)
И.М. Лифшиц, М.Я. Азбель, М.И. Каганов. Электронная теория металлов (М., Наука, 1971)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 10. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1972)
У. Харрисон. Теория твердого тела (М., Мир, 1972)
Дж. Займан. Электроны и фононы (М., ИЛ, 1962)
Р. Курант. Уравнения с частными производными (М., Мир, 1962) гл. II

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель