Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 5 » Статья стр. 604
<<<>>>
Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO
Поляков А.Я.1, Смирнов Н.Б.1, Говорков А.В.1, Кожухова Е.А.1, Kim H.S.2, Norton D.P.2, Pearton S.J.2, Белогорохов А.И.1
1ГНЦ Гиредмет, Москва, Россия
2Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida, USA
Поступила в редакцию: 27 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.
PDF версия
Проведены систематические исследования электрических характеристик и эффектов замороженной проводимости в твердых растворах MgZnO(P), выращенных методом импульсного лазерного распыления на нелегированных подложках n-ZnO. Показано, что в исходных неотожженных слоях наблюдается сильная замороженная проводимость и замороженная фотоемкость, связанные с присутствием электронных ловушек с высоким барьером для захвата электронов. Эти ловушки находятся в нижней половине запрещенной зоны, имеют оптический порог ионизации 2.8 эВ и высоту барьера для захвата электронов ~0.4 эВ. Наряду с такими центрами наблюдаются также дырочные ловушки с энергией ионизации 0.14 эВ. Отжиг при 850oC переводит материал в p-типа проводимости, в котором преобладают акцепторы с энергией активации ~0.2 эВ, связанные с фосфором. Наблюдается также компенсация проводимости и образование дырочных ловушек с энергией активации 0.14 и 0.84 эВ в подложке n-ZnO, что объясняется диффузией акцепторных дефектов в подложку при отжиге. PACS: 63.20.Pw, 71.55.Gs, 72.80.Ey, 81.15.Fg
  1. V.A. Coleman, C. Jagadish. In: ZnO Bulk, Thin Films and Nanostructures, ed. by C. Jagadich, S.J. Pearton (Elsevier, Oxford, 2006)
  2. D.C. Look. In: ZnO Bulk, Thin Films and Nanostructures, ed. by C. Jagadish, S.J. Pearton (Elsevier, Oxford, UK, 2006)
  3. D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, R.L. Jones, D.B. Eason, G. Cantwell. Appl. Phys. Lett., 81, 1830 (2002)
  4. Y.W. Heo, S.J. Park, K. Ip, S.J. Pearton, D.P. Norton. Appl. Phys. Lett., 83, 1128 (2003)
  5. D.P. Norton, Y.W. Heo, M.P. Ivill, K. Ip, S.J. Pearton, M.F. Chisholm, T. Steiner. Materials Today, 7, 34 (2004)
  6. H. von Wencstern, R. Pickenhain, H. Schmidt, M. Brandt, G. Biehne, M. Corenz, M. Grundmann. Appl. Phys. Lett., 89, 092 122 (2006)
  7. O. Lopatiuk, W. Burdett, LK. Chernyak, K.P. Ip, Y.W. Heo, D.P. Norton, S.J. Pearton, B. Hertog, P.P. Chow, A. Osinsky. Appl. Phys. Lett., 86, 012 105 (2005)
  8. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, M. Kawasaki. Nat. Mater., 4, 42 (2005)
  9. W. Liu, S.S. Gu, J.D. Ye, S.M. Zhu, S.M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y.D. Zheng, Y. Hang, C.L. Zhang. Appl. Phys. Lett., 88, 092 101 (2006)
  10. X. Pan, J. Li, Y. Zeng, X. Gu, L. Zhu, B. Zhao, Y. Che. Appl. Surf. Sci., 253, 6060 (2007)
  11. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.I. Belogorokhov, E.A. Kozhukhova, A.V. Markov, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 90, 132 103 (2007)
  12. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, E.A. Kozhukhova, A.I. Belogorokhov, A.V. Markov, H.S. Kim, D.P. Norton, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 154, 825 (2007)
  13. A. Dissanayake, M. Elahi, H.X. Jiang, J.Y. Lin. Phys. Rev. B, 45, 13 996 (1992)
  14. P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  15. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.I. Belogorokhov, A.V. Govorkov, E.A. Kozhukhova, A.V. Osinsky, J.Q. Xie, B. Hertog, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 1794 (2007)
  16. Y.W. Heo, Y.W. Kwon, Y. Li, S.J. Pearton, D.P. Norton. J. Electron. Mater., 34, 409 (2005)
  17. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  18. G.M. Martin, A. Mitonneau, D. Pons, A. Mircea, D.W. Woodard. J. Phys. C, 13, 3855 (1980)
  19. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.A. Kozhukhova, V.I. Vdovin, K. Ip, Y.W. Heo, D.P. Norton, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 83, 1575 (2003)
  20. F.D. Auret, S.A. Goodman, M. Hayes, M.J. Legodi, H.A. van Laarhove, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 79, 3074 (2001)
  21. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, K. Ip, M.E. Overberg, J.W. Heo, D.P. Norton, S.J. Pearton, B. Luo, F. Ren, J.M. Zavada. J. Appl. Phys., 94, 400 (2003)
  22. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, Z.-Q. Fang, D.C. Look, R.J. Molnar, A.V. Osinsky. J. Appl. Phys., 91, 6580 (2002)
  23. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, Z.-Q. Fang, D.C. Look, S.S. Park, J.H. Han. J. Appl. Phys., 92, 5241 (2002)
  24. A.I. Belogorokhov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, E.A. Kozhukhova, H.S. Kim, D.P. Norton, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 90, 192 110 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme