Исследовалось изменение структурных и морфологических особенностей и люминесцентных характеристик толстых эпитаксиальных слоев GaN, выращенных сублимационным сандвичем-методом, в зависимости от длительности процесса кристаллизации. Для этого, в частности, использовалась сканирующая электронная микроскопия в режимах вторичных электронов и катодолюминесценции с реальным отображением цветовой информации. Было установлено, что за время около 1.5 ч могут быть выращены весьма совершенные слои GaN толщиной до 0.5 мм, поверхность которых практически не имеет люминесценции в видимой области спектра. Однако если увеличить длительность ростового процесса с целью получения слоев большей толщины, то наблюдается ухудшение качества выращиваемого кристалла, которое сопровождается усилением катодолюминесценции его приповерхностного слоя в видимой (преимущественно желтой) части спектра. Обсуждаются причины ухудшения качества слоев GaN в этом случае. Предполагается, что по мере снижения скорости испарения источника убывает количество активного азота вблизи ростовой поверхности. PACS: 81.05.Ea, 81.10.Bk, 78.60.Hk

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.