"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние продолжительности процесса роста на свойства GaN, выращенного методом сублимации
Вольфсон А.А.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

Исследовалось изменение структурных и морфологических особенностей и люминесцентных характеристик толстых эпитаксиальных слоев GaN, выращенных сублимационным сандвичем-методом, в зависимости от длительности процесса кристаллизации. Для этого, в частности, использовалась сканирующая электронная микроскопия в режимах вторичных электронов и катодолюминесценции с реальным отображением цветовой информации. Было установлено, что за время около 1.5 ч могут быть выращены весьма совершенные слои GaN толщиной до 0.5 мм, поверхность которых практически не имеет люминесценции в видимой области спектра. Однако если увеличить длительность ростового процесса с целью получения слоев большей толщины, то наблюдается ухудшение качества выращиваемого кристалла, которое сопровождается усилением катодолюминесценции его приповерхностного слоя в видимой (преимущественно желтой) части спектра. Обсуждаются причины ухудшения качества слоев GaN в этом случае. Предполагается, что по мере снижения скорости испарения источника убывает количество активного азота вблизи ростовой поверхности. PACS: 81.05.Ea, 81.10.Bk, 78.60.Hk
  1. H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M.J. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
  2. Ю.А. Водаков, М.И. Карклина, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 537 (1980)
  3. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, P.G. Baranov. J. Cryst. Growth, 183, 10 (1997)
  4. G.V. Saparin, S.K. Obyden. Scanning, 10, 87 (1988)
  5. C. Wetzel, D. Volm, B.K. Meyer, K. Pressel, S.N. Nilson, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 339, 453 (1994)
  6. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, G.P. Alexis, R.L. Aulombard. J. Appl. Phys., 80, 5352 (1996)
  7. P.G. Baranov et al. Mater. Res. Soc. Internet J. Nitrite Semicond. Res., 3, 50 (1998)
  8. S. Sakai, H. Sato, T. Suguhara, Y. Naoi, S. Kurai, K. Yamashita, S. Tottori, M. Hao, K. Wada, K. Nishino. Mater. Sci. Forum, 264-- 268, 1107 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.