"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия
Бобровникова И.А.1, Ивонин И.В.1, Новиков В.А.1, Преображенский В.В.2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

С помощью метода атомно-силовой микроскопии проведены экспериментальные исследования влияния условий роста на структуру поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Получены количественные значения плотности, высоты и ширины центров роста в зависимости от условий эпитаксии, выполнены оценки средней длины диффузионного пробега частиц, лимитирующих скорость роста GaN, рассчитаны энергии активации и коэффициенты поверхностной диффузии для этих частиц. Проведены расчеты равновесного состава адсорбционных слоев на поверхности (0001) GaN в широком диапазоне температур осаждения и давлений галлия и азота с учетом следующих компонентов: атомы галлия, атомы азота и молекулы NH. На основании сопоставления экспериментальных данных по структуре поверхности GaN и расчетных данных по составу адсорбционных слоев на поверхности роста сделано предположение о том, что во всем диапазоне условий молекулярно-лучевой эпитаксии рост слоев GaN лимитируется доставкой галлия. PACS: 68.35.Dv, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 68.55.Ln
  1. С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов. ФТТ, 43 (12), 2135 (2001)
  2. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова. Письма ЖТФ, 27 (23), 66 (2001)
  3. S.Yu. Karpov, R.A. Talalaev, Yu. Makarov, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci., 450, 191 (2000)
  4. R. Shechar, K.F. Jensen. Surf. Sci., 381, 161 (1997)
  5. И.А. Бобровникова, И.В. Ивонин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 44 (2003)
  6. Л.Г. Лаврентьева, И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова. Изв. вузов. Материалы электронной техники, N 4, 35 (1998)
  7. И.В. Ивонин. В кн.: Проблемы роста полупроводниковых кристаллов и пленок [Деп. ВИНИТИ (естеств. и точн. науки), 1986, N 4 (102), ч. 1, N 158--80]
  8. А.А. Чернов, Н.С. Папков. Кристаллография, 22 (1), 35 (1977)
  9. И.А. Бобровникова, С.В. Субач. Ред. журн. "Изв. вузов. Физика" [Деп. ВИНИТИ 25.12.2002. N 2245-B 2002]
  10. И.А. Бобровникова, С.В. Субач, В.А. Новиков, Т.А. Шилова. Изв. вузов. Физика (Томск, 2006) [Деп. ВИНИТИ. Рег. N 1101-B2006, 24.08.2006]
  11. J. Fritsch, O.F. SanKey, J.B. Page. Surf. Sci., 427--428, 298 (1999)
  12. V.M. Bermudez. Chem. Phys. Lett., 317, 290 (2000)
  13. М.П. Рузайкин, А.Б. Свечников, О.Г. Либединец. Поверхность. Физика, химия, механика, N 8, 17 (1987)
  14. Л. Полинг. Общая химия (М., Мир, 1964)
  15. К.П. Хьюбер, Г. Герцберг. Константы двухатомных молекул (М., Мир, 1984) т. 1, 2
  16. К. Кольрауш. Спектры комбинационного рассеяния (М., ИЛ, 1952)
  17. Молекулярные постоянные неорганических соединений (Л., Химия, 1979)
  18. Г. Герцберг. Спектры и строение двухатомных молекул (М., ИЛ, 1949)
  19. Т. Коттрелл. Прочность химических связей (М., ИЛ, 1956)
  20. Г. Герцберг. Электронные спектры и строение многоатомных молекул (М., Мир, 1969)
  21. Handbook of Chemistry and Physics, 76th edition (Florida, CRC Press Inc., 1995--1996)
  22. Landolt-Borstein. Numerical data and functional relationships in science and technology, 17, 220 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.