"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se
Бордовский Г.А.1, Немов С.А.2, Анисимова Н.И.1, Дземидко И.А.1, Марченко А.В.1, Серегин П.П.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

Приведены результаты экспериментального исследования фотоиндуцированных изменений оптических свойств полупроводниковых стекол систем As-Se и As-S. С использованием данных эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 129Te(129I) обнаруженные изменения оптических свойств объясняются перестройкой матрицы стекла под действием излучения. PACS: 61.43.Fs, 63.50.Lm, 76.80.+y, 78.66.Jg
  1. И.В. Фенешгази, К.В. Май, Н.И. Метелешко, В.М. Мица, Е.И. Борка. ФТП, 39, 986 (2005)
  2. И.П. Корнева, Н.Я. Синявский, M. Ostafin, B. Nogaj. ФТП, 40, 1120 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.