Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Обращение волнового фронта при мощном импульсном оптическом возбуждении ZnO

Грузинцев А.Н.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 17 марта 2008 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

PDF версия

Теоретически и экспериментально показана возможность обращения светового волнового фронта (ОВФ) в возбужденной полупроводниковой среде. На порошке и кристаллах ZnO при комнатной температуре и накачке импульсным азотным лазером впервые обнаружено обращение света при ступенчатом изменении диэлектрической проницаемости среды во время перехода Мотта. Исследованы зависимости интенсивности и спектрального состава сигнала ОВФ от угла его регистрации. Предлагается объяснение эффекта: взаимодействие световых и электронно-дырочных плазменных колебаний в полупроводниковой среде. PACS: 78.55.Hx, 85.60.Jb, 71.35.-y

Y. Chen, D.M. Bagnall, Z. Zhu, T. Sekiuchi, K. Park. J. Cryst. Growth, 181, 165 (1997)
J. Chen, T. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 41, L203 (2002)
А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, Л.Бартхоу, П. Беналул. ФТП, 36 (6), 741 (2002)
P.A. Belanger, A. Hardy, A.E. Seigman. Appl. Optics, 19, 602 (1980)
J.F. Lam, W.P. Brown. Optics Lett., 5, 61 (1980)
D.M. Bloom, G.C. Bjoklund. Appl. Phys. Lett., 31, 592 (1977)
А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков. ФТП, 38, 543 (2004)
Ф. Качмарек. Введение в физику лазеров (М., Мир, 1981)
W. Hirschwald. Zinc oxide: Current topics in materials science (North-Holland Publishing Company, 1981)
H. Fujiwara, M. Kondo. Phys. Rev. B, 71, 075 109 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель