"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре и delta-легированном фосфором
Бойцов А.В.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Методами просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования delta-легированных фосфором (1 монослой) пленок GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при температуре 200oC (LT-GaAs) и изохронно отожженных при 400, 500 или 600oC. Из анализа картины муара на электронно-микроскопических изображениях кластеров, сформированных при отжиге, установлено, что их микроструктура и ориентационные соотношения соответствуют таковым для кластеров чистого As в GaAs, и следовательно, при преципитации избыточного мышьяка захвата фосфора из матрицы в формирующиеся кластеры не происходит. Изучение пространственного распределения кластеров по толщине пленки LT-GaAs показало, что изменения концентрации кластеров в окрестности delta-слоев P при использованных условиях выращивания и отжига не наблюдается. Таким образом, фосфор, будучи введенным в пленку LT-GaAs в виде delta-слоев, по своему воздействию на пространственное распределение кластеров As подобен изовалентной примеси Al и отличается от таких изовалентных примесей как In и Sb. PACS: 81.15.Hi, 68.37.Lp
  1. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  2. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  3. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  4. M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  5. S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Wittaker, G.A. Mouron, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
  6. В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, Е.А. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТП, 32, 1161 (1998)
  7. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol. 12, 51 (1997)
  8. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
  9. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
  10. M. Moreno, A. Trampert, L. Daweritz, K.H. Ploog, Appl. Surf. Sci. 234, 16 (2004)
  11. I. Karakaya, W.T. Thompson. J. Phase Equilibria Diffusion, 12, 343 (1991)
  12. A. Claverie, Z. Liliental-Weber, Phil. Mag., 65, 981 (1992)
  13. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев. ФТП, 30, 1889 (1996)
  14. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, U. Goesele. Appl. Phys. Lett. 79, 1294 (2001)
  15. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu.G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Tretyakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997)
  16. K. Mahalingam, N. Otsuka, M.R. Melloch, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett. 60, 3253 (1992)
  17. Термодинамика и материаловедение полупроводников. Под.ред. В.М. Глазова. М., Металлургия, 1992
  18. А.В. Бойцов, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 40, 778 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.