"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование солнечных элементов с квантовыми ямами и сравнение с обычными солнечными элементами
Саченко А.В.1, Соколовский И.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

С помощью программы SimWindows выполнено моделирование эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе GaAs с квантовыми ямами из InGaAs в условиях АМ 1.5 при различных уровнях легирования базы. Проведено сравнение полученных результатов с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. Показано, что солнечные элементы с квантовыми ямами могут иметь достаточно большую эффективность фотопреобразования по сравнению с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов при следующих условиях: а) времена жизни носителей заряда в квантовых ямах больше, чем в барьерном материале, б) уровень легирования базы не очень высокий. Установлено, что максимальная эффективность фотопреобразования обычных солнечных элементов больше, чем эффективность фотопреобразования солнечных элементов с квантовыми ямами. Она достигается при больших уровнях легирования базы (~3· 1018 см-3 при использованных для расчета параметрах). Это связано с более сильной излучательной рекомбинацией, а также с особенностями экранирования и токопрохождения в солнечных элементах с квантовыми ямами при высоких уровнях легирования. Показано, что при достаточно больших значениях степени концентрации освещения величины эффективности фотопреобразования в солнечных элементах с квантовыми ямами для низких и высоких уровней легирования базы сближаются. PACS: 73.63.Hs, 84.60.Jt, 81.07.St, 85.35.Be, 73.40.Kp
  1. А.В. Саченко, И.О. Соколовский. ФТП, 42 (10), 1238 (2008)
  2. D.W. Winston. Ph.D. Dissertation (USA, University of Colorado, 1996)
  3. D.W. Winston. World Wide Web: www-os.colorado.edu/SimWindows/simwin.html
  4. K.W.J. Barnham, G. Duggan. J. Appl. Phys., 67, 3490 (1989)
  5. Ж.И. Алфёров, В.А. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
  6. I.I. Ivanov, V.A. Skryschevskyy, S.V. Litvinenko. Ukr. J. Phys., 49, 917 (2004)
  7. A. Khairy Aboul-Soud, Moataz M. Soliman, Alaa S. Hafez. Proc. 19th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Paris, France, 2004) p. 125
  8. T.N.D. Tibbits, I.M. Ballard, K.W.J. Barnham et al. Proc. 19th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Paris, France, 2004) p. 3715

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.