"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Транспорт в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с узкими запрещенными мини-зонами: низкочастотная отрицательная дифференциальная проводимость и токовые осцилляции
Андронов А.А.1, Додин Е.П.1, Зинченко Д.И.1, Ноздрин Ю.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 3 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Измерены вольт-амперные характеристики и изучены низкочастотные токовые неустойчивости в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs с узкими запрещенными мини-зонами. В относительно слабых электрических полях обнаружена пилообразная структура вольт-амперных характеристик с чередующимися участками положительной и отрицательной дифференциальной проводимости, спонтанная генерация низкочастотных токовых колебаний со сложным частотным спектром (от дискретного до сплошного). Показано, что наблюдаемые особенности электронного транспорта обусловлены пространственно-временной динамикой доменов электрического поля (диполей и монополей). Наблюдались также эффекты бифуркации, гистерезиса и мультистабильности вольт-амперных характеристик. В сильных полях на вольт-амперных характеристиках наблюдались и идентифицированы регулярные особенности, обусловленные резонансным туннелированием электронов между уровнями ванье-штарковских лестниц, принадлежащих квантовым ямам, разнесенным на несколько периодов. PACS: 73.21.Cd, 72.20.Ht, 72.30.+q, 73.40.Gk
  1. L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  2. С.А. Ктиторов, Г.С. Силин, В.Я. Синдаловский. ФТТ, 13, 2230 (1971)
  3. H. Kroemer. cond-mat/0009111 (2000)
  4. P.G. Savvidis, B. Kolasa, G. Lee, S.J. Allen. Phys. Rev. Lett., 92, 196 802 (2004)
  5. А.А. Андронов, И.М. Нефедов, А.В. Соснин. ФТП, 37, 378 (2003)
  6. L.L. Bonilla, H.T. Grahn. Rep. Progr. Phys., 68, 577 (2005)
  7. A.A. Ignatov, E.P. Dodin, V.I. Shashkin. Mod. Phys. Lett. B, 5, 1087 (1991)
  8. A.A. Andronov, E.P. Dodin, A.Yu. Klimov, V.V. Rogov, Yu.N. Nozdrin, D.I. Zinchenko, A.A. Marmalyuk, A.A. Padallitsa. Proc. 14th Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (USA, Chicago, July 24-29, 2005) p. TU3-3
  9. H. Kromer. Proc. IEEE, 52, 1736 (1964); H. Kroemer. IEEE Trans. Electron Dev. ED-13, 27 (1966)
  10. F.J. Higuera, L.L. Bonilla. Physica D, 57, 161 (1992)
  11. L.L. Bonilla, I.R. Cantalapiedra, G. Gomila, J.M. Rubi. Phys. Rev. E, 56, 1500 (1997)
  12. А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин. Тез. 11-го Межд. симп. по нанофизике и наноэлектронике (10-14 марта 2007, Н. Новгород, Россия) с. 291
  13. А.А. Игнатов, В.И. Пискарев, В.И. Шашкин. ФТП, 19, 2183 (1986)
  14. P. Gu'eret P. Phys. Rev. Lett., 27, 256 (1971)
  15. D. Sa'nchez, M. Moscoso, L.L. Bonilla, G. Platero, R. Aguado. Phys. Rev. B, 60, 4489 (1999)
  16. Y. Zhang, R. Klann, K.H. Ploog, H.T. Grahn. Appl. Phys. Lett., 70 (21), 2825 (1997)
  17. R. Aduado, G. Platero, M. Moscoso, L.L. Bonilla. Phys. Rev. B, 55, R16 053 (1997)
  18. J. Kastrup, R. Hey, K.H. Ploog, H.T. Grahn, L.L. Bonilla, M. Kindelan, M. Moscoso, A. Wacker, J. Gala'n. Phys. Rev. B, 55, 2476 (1997)
  19. F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 48 (7), 478 (1986)
  20. F. Beltram, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, S.-N.G. Chu, A.Y. Cho. Phys. Rev. Lett., 64, 3167 (1990)
  21. S. Rott, N. Linder, G.H. Dohler. Phys. Rev. B, 65, 195 301 (2002)
  22. M. Saitoh. J. Phys. C, 5, 914 (1972)
  23. A.A. Andronov, E.P. Dodin, Yu.N. Nozdrin, D.I. Zinchenko. Phys. Status Solidi C, 5 (1), 190 (2008)
  24. А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин. ФТП, 43 (2), 5683 (2009)
  25. O.M. Bulashenko, M.J. Garsia, L.L. Bonilla. Phys. Rev. B, 53, 10 008 (1996)
  26. Y. Zhang, R. Klann, K.H. Ploog, H.T. Grahn. Appl. Phys. Lett., 69 (8), 1116 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.