"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наименьшее число пар слоев, необходимое для проявления сателлитной структуры при рентгеновской дифракции на сверхрешетках. Измерения и расчет упругих напряжений в чередующихся слоях сверхрешеток
Кузнецов Г.Ф.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Сверхрешетки типа AlxGa1-xAs/GaAs.../(001)GaAs с величиной периода T>=q100 нм изучены методами рентгеновской дифрактометрии и топографии. Показано, что для проявления в рентгенодифрактометрическом спектре сателлитов, необходимых для идентификации и измерения параметров сверхрешеток на монокристаллической подложке, достаточно нарастить только две пары чередующихся слоев AlxGa1-xAs/GaAs. Рентгенодифрактометрический метод позволяет обнаруживать и измерять параметры упругодеформированных и пластически деформированных сверхрешеток. Дана теория расчета и рассчитаны величины упругих напряжений в чередующихся слоях сверхрешеток AlxGa1-xAs/GaAs.../(001)GaAs: для N1=10 пар sigma2N=4.37·105 Па и sigma2N-1=-4.37·107 Па, для N2=2 sigma2N=6.16·106 Па и sigma2N-1=-2.8·107 Па. Напряжение sigma2N-1=-4.37·107 Па вызывает пластическую деформацию в слоях твердого раствора сверхрешетки с N1=10. PACS: 73.21.Cd, 61.05.-a
  1. J. Hornstra, W.J. Bartels. J. Cryst. Growth, 44 (5), 513 (1978)
  2. Ю.П. Хапачев, А.В. Колпаков, Г.Ф. Кузнецов, Р.Н. Кузьмин. Кристаллография, 24 (3), 430 (1979)
  3. Ю.П. Хапачев, Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 28 (1), 27 (1983)
  4. К. Кабутов, О.Е. Коробов, Г.Ф. Кузнецов, В.Н. Маслов, Ю.П. Хапачев. Кристаллография, 28 (4), 647 (1983)
  5. Г.Ф. Кузнецов, А.С. Игнатьев, В.А. Кусиков. Деп. ВИНИТИ N 200-093 (1993)
  6. Г.Ф. Кузнецов, А.В. Колпаков, В.А. Кусиков, И.Р. Прудников. Тез. докл. 1-й Росс. конф. по физике полупроводников (Н. Новгород--Москва, 1993) т. 2, с. 311
  7. Г.Ф. Кузнецов. Автореф. докт. дис. М., ИРЭ АН СССР (1998)
  8. Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, N 2, 12 (1985)
  9. Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 8, Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, N 3, 39 (1985)
  10. А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Вестн. МГУ. Физика, астрономия, 32 (4), 3 (1991)
  11. А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках (М., изд-во МГУ, 1992)
  12. V.S. Speriosu, T. Vreeland. J. Appl. Phys., 56 (6), 1591 (1984)
  13. T.H. Chiu, J.E. Zucker, T.K. Woodward. Appl. Phys. Lett., 59 (26) (1991)
  14. Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 45 (2), 326 (2000)
  15. Krishan Lal, Niranjana N. Goswami, Gregory F. Kuznetsov. In: Semiconductor devices ed. by Krishan Lal (Narosa Pablishing House, New Delhi, India, 1996) p. 113
  16. Г.Ф. Кузнецов. ФТП, 41 (10), 1272 (2007)
  17. P.F. Fewster. J. Appl. Cryst., 22, 64 (1989)
  18. P.F. Fewster. In: Physics of semiconductor devices, by V. Kumar, S.K. Agarwal (Delhy, India, 1999) v. 2, p. 958
  19. А.Р. Ланг. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах (М., Мир, 1965) с. 205, 259
  20. В.Ф. Миусков. Рост кристаллов (Л., Наука, 1965) т. 5, с. 300
  21. Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 21 (4), 847 (1976)
  22. И.Л. Шульпина. Рост кристаллов (Л., Наука, 1965) т. 5, с. 285
  23. G.F. Kuznetsov. In: Physics of semiconductor devices, ed. by V. Kumar, S.K. Agarwal (Delhy, India, 1999) v. 1, p. 179
  24. Г.Ф. Кузнецов. ЖТФ, 66 (1), 181 (1996)
  25. Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 46 (2), 320 (2001)
  26. Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 40 (5), 936 (1995)
  27. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М., Атомиздат, 1972) [Пер. с англ.: J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations (N.Y.--St. Louis--San Fransisco--Toronto--London--Sidney, McGraw-Hill Book Company)]
  28. А.М. Афанасьев, М.А. Чуев, Р.М. Имамов, А.А. Ломов. Кристаллография, 45 (4), 715 (2000)
  29. Е.М. Воронкова, Б.Н. Гречушников, Г.И. Дистлер, И.П. Перов. Оптические материалы для инфракрасной техники (М., Наука, 1965)
  30. Л.Г. Орлов. ФТТ, 14 (12), 3691 (1972)
  31. В.И. Никитенко. В кн.: Материалы Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1969) ч. 1, с. 195

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.