"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs
Кагадей В.А.1, Нефёдцев Е.В.1
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда и активной легирующей примеси в приповерхностной области GaAs p-типа в процессе гидрогенизации. Численный эксперимент выполнен на базе развернутой математической модели с минимальными упрощениями. Обсуждаются закономерности накопления и транспорта частиц водорода и роль в этих процессах электрического поля. Численными и аналитическими расчетами обосновывается малая эффективность образования комплексов водород-(легирующая примесь) при типичных температурах гидрогенизации GaAs (T>150oC). PACS: 61.72.Cc, 66.30.Ma, 68.35.bg, 61.72.J_, 61.72.S_
  1. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
  2. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32, 1343 (1998)
  3. Н.А. Торхов. ФТП, 36, 437 (2002)
  4. В.А. Кагадей, Е.В. Нефёдцев, Д.И. Проскуровский, С.В. Романенко, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 29, 27 (2003)
  5. О.В. Александров. ФТП, 36, 24 (2002)
  6. R. Rizk, P. de Mierry, D. Ballutaud, M. Aucouturier, D. Mathiot. Phys. Rev. B, 44, 6141 (1991)
  7. D. Mathiot. Phys. Rev. B, 40, 5867 (1989)
  8. J. Weber, S. Knack, O.V. Feklisova, N.A. Yarykin, E.B. Yakimov. Microelectronic Eng., 66, 320 (2003)
  9. O. Feklisova, S. Knack, E.B. Yakimov, N. Yarykin, J. Weber. Physica B, 308-- 310, 213 (2001)
  10. Е.Д. Горнушкина, Р.Ш. Малкович. Электрон. техн. Материалы, вып. 7 (261), 73 (1991)
  11. R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 66, 2973 (1989)
  12. Н.С. Рытова. ФТП, 25, 990 (1991)
  13. M.C. Wagener, J.R. Botha, A.W.R. Leitch. Phys. Rev., 60 (3), 1752 (1959)
  14. J. Mimila-Arroyo, S.W. Bland. Modern Phys. Lett. B, 15 (17--19), 585 (2001)
  15. T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 43, 4361 (1991)
  16. П. Эткинс. Физическая химия (М., Мир, 1980) т. 2
  17. A. Bonapasta, M. Capizzi, P. Giannozzi. Phys. Rev. B, 59, 4869 (1999)
  18. S.J. Pearton, C.R. Albenathy, J. Lopata. Appl. Phys. Lett. 59 (27), 3571 (1991)
  19. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
  20. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  21. S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith, J. Chevallier, C.W. Tu, K.D. Cummings. J. Appl. Phys., 58 (8), 2821 (1986)
  22. J. Chevallier, W.C. Dautremont-Smith, C.W. Tu, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 47 (2), 108 (1985)
  23. V.A. Kagadei, E.V. Nefyodtsev, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 19 (4), 1871 (2001)
  24. J. Weber, S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith. Appl. Phys. Lett., 49 (18), 1181 (1985)
  25. А.А. Балмашнов, К.С. Голованивский, Э.К. Кампс, Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Письма ЖТФ, 12, 1486 (1986)
  26. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков. ФТП, 21, 842 (1987)
  27. B. Pajot. Inst. Phys. Ser., N 95, Chap. 7, 437 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.