[!t] 1 января 2009 г. исполняется 80 лет со дня рождения и 55 лет научной деятельности замечательного ученого, заслуженного деятеля науки РФ, доктора физико-математических наук, профессора Виталия Ивановича Стафеева. Виталий Иванович окончил физико-математический факультет Казахского государственного университета (г. Алма-Ата) в 1952 г. Получив направление в Физико-технический институт АН СССР (г. Ленинград), он оказался в числе тех, кто закладывал основы физики и техники полупроводниковых приборов. Здесь он принял участие в разработке и изготовлении первых сильноточных германиевых выпрямителей. Эти работы, за участие в которых он получил свою первую правительственную награду, заложили основы силовой полупроводниковой электроники в СССР. С первых шагов в науке его характеризовало глубокое понимание физической сущности электронных явлений в полупроводниковых приборах, что привело его к разработке новых принципов их действия, созданию функциональных логических схем и устройств обработки и воспроизведения изображений. Многогранность его натуры выразилась в широком охвате различных сторон научно-педагогической и научно-производственной деятельности. В 1964-1969 г.г. В. И. Стафеев - директор НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина (Научный центр микроэлектроники, г. Зеленоград), с 1969 г. последовательно - заведующий отделом, отделением и главный конструктор направления матричных фотоприемников в НИИ Прикладной физики (ныне ФГУП НПО Орион"), и с 1965 г. - профессор Московского физико-технического института (МФТИ). Он удостоен звания Почетный работник промышленности вооружений. Юбиляр внес большой вклад в развитие в нашем отечестве работ по узкощелевым полупроводникам и фотоприемникам инфракрасного диапазона. Под его руководством в этом направлении в течение ряда лет проводились научные симпозиумы и семинары в разных регионах страны, что обеспечило формирование новых научных коллективов в России и странах ближнего зарубежья. Среди его учеников 25 докторов наук. Он автор или соавтор 12 монографий, более 600 научных статей и изобретений. Многие из результатов его исследований вошли в отечественные и зарубежные монографии и учебники. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие в СССР микроэлектроники - председатель Межведомственного координационного совета по микроэлектронике, организатор и заведующий кафедрой Микроэлектроники в МФТИ, председатель секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме Академии наук СССР. Научно-производственная деятельность юбиляра отмечена двумя Государственными премиями СССР (1982 г. и 1988 г.) и Государственной премии РФ (2000 г.). Мы поздравляем Виталия Ивановича со знаменательной датой, желаем ему крепкого здоровья и дальнейших творческих успехов. Ж. И. Алфёров, А. Л. Асеев, А. А. Гиппиус, Ю. В. Гуляев, В. И. Иванов-Омский, О. Н. Крохин, А. А. Каплянский, М. Г. Мильвидский, Ю. К. Пожела, Я. Е. Покровский, Р. А. Сурис, А. М. Филачев, редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>>, коллеги и друзья

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.