"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Виталий Иванович Стафеев ( к 80-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.
[!t] 1 января 2009 г. исполняется 80 лет со дня рождения и 55 лет научной деятельности замечательного ученого, заслуженного деятеля науки РФ, доктора физико-математических наук, профессора Виталия Ивановича Стафеева. Виталий Иванович окончил физико-математический факультет Казахского государственного университета (г. Алма-Ата) в 1952 г. Получив направление в Физико-технический институт АН СССР (г. Ленинград), он оказался в числе тех, кто закладывал основы физики и техники полупроводниковых приборов. Здесь он принял участие в разработке и изготовлении первых сильноточных германиевых выпрямителей. Эти работы, за участие в которых он получил свою первую правительственную награду, заложили основы силовой полупроводниковой электроники в СССР. С первых шагов в науке его характеризовало глубокое понимание физической сущности электронных явлений в полупроводниковых приборах, что привело его к разработке новых принципов их действия, созданию функциональных логических схем и устройств обработки и воспроизведения изображений. Многогранность его натуры выразилась в широком охвате различных сторон научно-педагогической и научно-производственной деятельности. В 1964-1969 г.г. В. И. Стафеев - директор НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина (Научный центр микроэлектроники, г. Зеленоград), с 1969 г. последовательно - заведующий отделом, отделением и главный конструктор направления матричных фотоприемников в НИИ Прикладной физики (ныне ФГУП НПО Орион"), и с 1965 г. - профессор Московского физико-технического института (МФТИ). Он удостоен звания Почетный работник промышленности вооружений. Юбиляр внес большой вклад в развитие в нашем отечестве работ по узкощелевым полупроводникам и фотоприемникам инфракрасного диапазона. Под его руководством в этом направлении в течение ряда лет проводились научные симпозиумы и семинары в разных регионах страны, что обеспечило формирование новых научных коллективов в России и странах ближнего зарубежья. Среди его учеников 25 докторов наук. Он автор или соавтор 12 монографий, более 600 научных статей и изобретений. Многие из результатов его исследований вошли в отечественные и зарубежные монографии и учебники. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие в СССР микроэлектроники - председатель Межведомственного координационного совета по микроэлектронике, организатор и заведующий кафедрой Микроэлектроники в МФТИ, председатель секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме Академии наук СССР. Научно-производственная деятельность юбиляра отмечена двумя Государственными премиями СССР (1982 г. и 1988 г.) и Государственной премии РФ (2000 г.). Мы поздравляем Виталия Ивановича со знаменательной датой, желаем ему крепкого здоровья и дальнейших творческих успехов. Ж. И. Алфёров, А. Л. Асеев, А. А. Гиппиус, Ю. В. Гуляев, В. И. Иванов-Омский, О. Н. Крохин, А. А. Каплянский, М. Г. Мильвидский, Ю. К. Пожела, Я. Е. Покровский, Р. А. Сурис, А. М. Филачев, редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>>, коллеги и друзья
  1. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
  2. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32, 1343 (1998)
  3. Н.А. Торхов. ФТП, 36, 437 (2002)
  4. В.А. Кагадей, Е.В. Нефёдцев, Д.И. Проскуровский, С.В. Романенко, Л.С. Широкова. Письма ЖТФ, 29, 27 (2003)
  5. О.В. Александров. ФТП, 36, 24 (2002)
  6. R. Rizk, P. de Mierry, D. Ballutaud, M. Aucouturier, D. Mathiot. Phys. Rev. B, 44, 6141 (1991)
  7. D. Mathiot. Phys. Rev. B, 40, 5867 (1989)
  8. J. Weber, S. Knack, O.V. Feklisova, N.A. Yarykin, E.B. Yakimov. Microelectronic Eng., 66, 320 (2003)
  9. O. Feklisova, S. Knack, E.B. Yakimov, N. Yarykin, J. Weber. Physica B, 308-- 310, 213 (2001)
  10. Е.Д. Горнушкина, Р.Ш. Малкович. Электрон. техн. Материалы, вып. 7 (261), 73 (1991)
  11. R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 66, 2973 (1989)
  12. Н.С. Рытова. ФТП, 25, 990 (1991)
  13. M.C. Wagener, J.R. Botha, A.W.R. Leitch. Phys. Rev., 60 (3), 1752 (1959)
  14. J. Mimila-Arroyo, S.W. Bland. Modern Phys. Lett. B, 15 (17--19), 585 (2001)
  15. T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 43, 4361 (1991)
  16. П. Эткинс. Физическая химия (М., Мир, 1980) т. 2
  17. A. Bonapasta, M. Capizzi, P. Giannozzi. Phys. Rev. B, 59, 4869 (1999)
  18. S.J. Pearton, C.R. Albenathy, J. Lopata. Appl. Phys. Lett. 59 (27), 3571 (1991)
  19. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
  20. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  21. S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith, J. Chevallier, C.W. Tu, K.D. Cummings. J. Appl. Phys., 58 (8), 2821 (1986)
  22. J. Chevallier, W.C. Dautremont-Smith, C.W. Tu, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 47 (2), 108 (1985)
  23. V.A. Kagadei, E.V. Nefyodtsev, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 19 (4), 1871 (2001)
  24. J. Weber, S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith. Appl. Phys. Lett., 49 (18), 1181 (1985)
  25. А.А. Балмашнов, К.С. Голованивский, Э.К. Кампс, Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Письма ЖТФ, 12, 1486 (1986)
  26. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков. ФТП, 21, 842 (1987)
  27. B. Pajot. Inst. Phys. Ser., N 95, Chap. 7, 437 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.