Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей
Климова А.В.1, Лукашин В.М.2, Пашковский А.Б.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Исток", Фрязино, Московская область, Россия
2Научно-исследовательский институт "МЭИИТ МИЭМ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.
Для полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием проведено сравнение результатов расчетов выходных характеристик приборов по гидродинамической и квазигидродинамической (температурной) моделям. Показано, что поперечный пространственный перенос и сильные зависимости времен релаксации от энергии приводят к тому, что результаты расчетов по этим моделям существенно отличаются при длинах затворов, намного превышающих длину релаксации электронов по импульсу. PACS: 73.40.Kp, 85.30.De
- Н.А. Банов, В.И. Рыжий. Микроэлектроника, 15 (6), 490 (1986)
- В.А. Николаев, В.Д. Пищалко, В.И. Рыжий, Г.Ю. Хренов, Б.Н. Четверушкин. Микроэлектроника, 17 (6), 504 (1988)
- А.Б. Пашковский. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, N 5 (399), 22 (1987)
- K. Blotekjar. IEEE Trans. Electron. Dev., 17 (1), 38 (1970)
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в многодолинных полупроводниках (М., Наука, 1972), с. 66
- В.Е. Чайка. Техн. электродинамика, N 3, 85 (1985)
- Я.Б. Мартынов, А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, N 7, 14 (1988)
- Г.З. Гарбер. РЭ, 48 (1), 125 (2003)
- А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер. Микроэлектроника, 20 (4), 383 (1991)
- А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер. Радиофизика, 28 (12), 1583 (1985)
- А.А. Кальфа. ФТП, 20 (3), 468 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук