Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей

Климова А.В.¹, Лукашин В.М.², Пашковский А.Б.¹

¹Федеральное государственное унитарное предприятие "Исток", Фрязино, Московская область, Россия
²Научно-исследовательский институт "МЭИИТ МИЭМ", Москва, Россия

Поступила в редакцию: 15 января 2008 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

PDF версия

Для полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием проведено сравнение результатов расчетов выходных характеристик приборов по гидродинамической и квазигидродинамической (температурной) моделям. Показано, что поперечный пространственный перенос и сильные зависимости времен релаксации от энергии приводят к тому, что результаты расчетов по этим моделям существенно отличаются при длинах затворов, намного превышающих длину релаксации электронов по импульсу. PACS: 73.40.Kp, 85.30.De

Н.А. Банов, В.И. Рыжий. Микроэлектроника, 15 (6), 490 (1986)
В.А. Николаев, В.Д. Пищалко, В.И. Рыжий, Г.Ю. Хренов, Б.Н. Четверушкин. Микроэлектроника, 17 (6), 504 (1988)
А.Б. Пашковский. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, N 5 (399), 22 (1987)
K. Blotekjar. IEEE Trans. Electron. Dev., 17 (1), 38 (1970)
В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в многодолинных полупроводниках (М., Наука, 1972), с. 66
В.Е. Чайка. Техн. электродинамика, N 3, 85 (1985)
Я.Б. Мартынов, А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, N 7, 14 (1988)
Г.З. Гарбер. РЭ, 48 (1), 125 (2003)
А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер. Микроэлектроника, 20 (4), 383 (1991)
А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер. Радиофизика, 28 (12), 1583 (1985)
А.А. Кальфа. ФТП, 20 (3), 468 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель