Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

Акчурин Р.Х.¹, Андреев А.Ю.², Берлинер Л.Б.¹, Говорков О.И.³, Дураев В.П.³, Малджы А.А.¹, Мармалюк А.А.², Падалица А.А.², Петровский А.В.², Сабитов Д.Р.², Сухарев А.В.²

¹Московская академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
²ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия Sigm Plus Co, Moscow, Russia

³"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия “Polyus” Research Institute of M.F. Stelmakh Joint Stock Company, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 28 декабря 2007 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Поверхностная сегрегация в процессе эпитаксиального роста напряженных квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs в значительной мере искажает номинальный концентрационный профиль квантовых ям. Учет влияния на сегрегацию условий роста и упругих напряжений, возникающих в процессе эпитаксии, позволил с высокой точностью смоделировать концентрационный профиль и рассчитать длину волны электролюминесценции реальных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Показано, что наблюдаемый эффект длинноволнового смещения длины волны межзонного перехода в практически важном случае гетероструктур с двумя близко расположенными квантовыми ямами обусловлен влиянием упругих напряжений в процессе роста. PACS: 78.60.Fi, 78.67.De, 68.65.Fg, 81.07.St

A.A. Marmalyuk, O.I. Govorkov, A.V. Petrovsky et al. J. Cryst. Growth, 237--239, 264 (2002)
R.Kh. Akchurin, A.Y. Andreev, O.I. Govorkov, A.A. Marmalyuk, A.V. Petrovsky. Appl. Surf. Sci. 188 (1--2), 209 (2002)
S. Hofmann. Surf. Interf. Anal., 21, 673 (1994)
K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett., 61, 557 (1992)
K.J. Nakajima. Cryst. Growth, 126, 511 (1993)
I.-H. Tan, G.L. Snider, L.D. Chang, E.L. Hu. J. Appl. Phys., 68, 4071 (1990)
D.W. Winston, R.E. Hayes. Proc. Int. Symp. on Compound Semicond. (San-Diego CA, 1994) p. 747
Quantum well lasers, ed. by P.S. Zory, jr. (Academic Press, 1993)
В.П. Дураев, А.А. Мармалюк, А.В. Петровский и др. Квант. электрон. (принята к печати)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель