"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рост слитков карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью (10(1)0)
Поступила в редакцию: 28 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Исследованы особенности выращивания слитков карбида кремния политипа 4H модифицированным методом Лели на затравках с ориентацией поверхности (1010). Показано, что данная плоскость затравки допускает интенсивное разращивание слитка. При скоростях роста менее 0.6 мм/ч получены монокристаллические слитки размером до 60 мм в диаметре. Исследование структуры дефектов показало, что в выращенных слитках практически отсутствуют микропоры, но содержатся дефекты упаковки и микровключения углерода. PACS: 61.72.Bb, 61.72.Dd, 61.72.Mm, 81.05.Hd, 81.10.Bk

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.