Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 12 » Статья стр. 1420
<<<>>>
Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами)
Поклонский Н.А.1, Вырко С.А.1, Забродский А.Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
PDF версия
Проведен расчет низкочастотной электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой миграции как одиночных электронов, так и биполяронов (пар электронов) по дефектам одного сорта (типа), "стабилизирующим" уровень Ферми в окрестности середины запрещенной энергетической зоны. Рассматриваются кристаллы с двухуровневыми дефектами в трех зарядовых состояниях (+1,0,-1) либо с положительной, либо с отрицательной корреляционной энергией. Показано, что с ростом абсолютной величины внешнего потенциала емкость кремния, содержащего дефекты с положительной корреляционной энергией, увеличивается, а содержащего дефекты с отрицательной корреляционной энергией, - уменьшается. Впервые записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1). PACS: 61.82.Fk, 71.38.Mx, 71.55.Cn, 72.20.Ee
  1. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  2. M. McPherson. Physica B, 344 (1--4), 52 (2004)
  3. В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Л.С. Смирнов. ФТП, 41 (9), 1031 (2007)
  4. P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. M aczka, A. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. Status Solidi A, 128 (2), K117 (1991)
  5. В.С. Львов, В.И. Стриха, О.В. Третяк, А.А. Шматов. ФТТ, 31 (11), 206 (1989)
  6. Н.Т. Баграев. ЖЭТФ, 100 (4[10]), 1378 (1991)
  7. R.D. Harris, J.L. Newton, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 36 (2), 1094 (1987)
  8. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский. УФН, 170 (2), 143 (2000)
  9. И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15 (4), 625 (1981)
  10. A.R. Long. Adv. Phys., 31 (5), 553 (1982)
  11. С.П. Ионов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 49 (2), 310 (1985)
  12. С.Д. Барановский, В.Г. Карпов. ФТП, 21 (1), 3 (1987)
  13. S.R. Elliott. Adv. Phys., 36 (2), 135 (1987)
  14. M. Pollak. Phys. Status Solidi B, 230 (1), 295 (2002)
  15. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34 (15), 953 (1975)
  16. Д.Р. Хохлов. УФН, 176 (9), 983 (2006)
  17. М.В. Красинькова, Б.Я. Мойжес. ФТП, 24 (11), 1934 (1990)
  18. К.Д. Цэндин, И.А. Барыгин, А.И. Капустин, Б.П. Попов. ЖЭТФ, 132 (4[10]), 902 (2007)
  19. R.A. Ogg. Phys. Rev., 69 (5--6), 243 (1946)
  20. А.А. Ликальтер. УФН, 170 (8), 831 (2000)
  21. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 41 (11), 1317 (2007)
  22. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. Статистическая физика полупроводников (М., КомКнига, 2005)
  23. H.J. Hoffmann. Phys. Rev. B, 23 (10), 5603 (1981)
  24. Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 19 (10), 1845 (1985)
  25. Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП, 33 (4), 415 (1999)
  26. Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 40 (10), 1805 (1998)
  27. Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ, 42 (3), 432 (2000)
  28. Н.Г. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ, 95 (4), 1412 (1989)
  29. J. Singh, K. Shimakawa. Advances in Amorphous Semiconductors (London, CRC Press / Taylor \& Francis, 2003)
  30. N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Status Solidi B, 88 (2), K165 (1978)
  31. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 77 (2004)
  32. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Wiley, 2007)
  33. A. Fujishima, T.N. Rao, D.A. Tryk. J. Photochem. Photobiol. C: Photochem. Rev., 1 (1), 1 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme