Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами)
Поклонский Н.А.1, Вырко С.А.1, Забродский А.Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Проведен расчет низкочастотной электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой миграции как одиночных электронов, так и биполяронов (пар электронов) по дефектам одного сорта (типа), "стабилизирующим" уровень Ферми в окрестности середины запрещенной энергетической зоны. Рассматриваются кристаллы с двухуровневыми дефектами в трех зарядовых состояниях (+1,0,-1) либо с положительной, либо с отрицательной корреляционной энергией. Показано, что с ростом абсолютной величины внешнего потенциала емкость кремния, содержащего дефекты с положительной корреляционной энергией, увеличивается, а содержащего дефекты с отрицательной корреляционной энергией, - уменьшается. Впервые записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1). PACS: 61.82.Fk, 71.38.Mx, 71.55.Cn, 72.20.Ee
- В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
- M. McPherson. Physica B, 344 (1--4), 52 (2004)
- В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Л.С. Смирнов. ФТП, 41 (9), 1031 (2007)
- P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. M aczka, A. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. Status Solidi A, 128 (2), K117 (1991)
- В.С. Львов, В.И. Стриха, О.В. Третяк, А.А. Шматов. ФТТ, 31 (11), 206 (1989)
- Н.Т. Баграев. ЖЭТФ, 100 (4[10]), 1378 (1991)
- R.D. Harris, J.L. Newton, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 36 (2), 1094 (1987)
- Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский. УФН, 170 (2), 143 (2000)
- И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15 (4), 625 (1981)
- A.R. Long. Adv. Phys., 31 (5), 553 (1982)
- С.П. Ионов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 49 (2), 310 (1985)
- С.Д. Барановский, В.Г. Карпов. ФТП, 21 (1), 3 (1987)
- S.R. Elliott. Adv. Phys., 36 (2), 135 (1987)
- M. Pollak. Phys. Status Solidi B, 230 (1), 295 (2002)
- P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34 (15), 953 (1975)
- Д.Р. Хохлов. УФН, 176 (9), 983 (2006)
- М.В. Красинькова, Б.Я. Мойжес. ФТП, 24 (11), 1934 (1990)
- К.Д. Цэндин, И.А. Барыгин, А.И. Капустин, Б.П. Попов. ЖЭТФ, 132 (4[10]), 902 (2007)
- R.A. Ogg. Phys. Rev., 69 (5--6), 243 (1946)
- А.А. Ликальтер. УФН, 170 (8), 831 (2000)
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 41 (11), 1317 (2007)
- Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. Статистическая физика полупроводников (М., КомКнига, 2005)
- H.J. Hoffmann. Phys. Rev. B, 23 (10), 5603 (1981)
- Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 19 (10), 1845 (1985)
- Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП, 33 (4), 415 (1999)
- Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 40 (10), 1805 (1998)
- Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ, 42 (3), 432 (2000)
- Н.Г. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ, 95 (4), 1412 (1989)
- J. Singh, K. Shimakawa. Advances in Amorphous Semiconductors (London, CRC Press / Taylor \& Francis, 2003)
- N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Status Solidi B, 88 (2), K165 (1978)
- А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 77 (2004)
- S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Wiley, 2007)
- A. Fujishima, T.N. Rao, D.A. Tryk. J. Photochem. Photobiol. C: Photochem. Rev., 1 (1), 1 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
