Вышедшие номера
Энергетический спектр носителей заряда в Ag2Te
Алиев С.А.1, Агаев З.Ф.1, Селим-заде Р.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 2 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Проведено исследование проводимости sigma(T) и постоянной Холла R(B,T) в Ag2Te с избытком 0.1% Te. На зависимостях R(B) при различных температурах обнаружена смена знака R c (-) на (+). На температурных зависимостях R в интервале 1-3 кГс обнаружены два экстремума, минимум ~ 60 и максимум при T~ 80 K, а при B>=q 5 кГс двойная смена знака R с (-) на (+) и c (+) на (-). Температуры инверсии знака R зависят от значения магнитного поля. При B=15 кГс инверсия знака R с (-) на (+) происходит при ~ 38, а с (+) на (-) при ~ 70 K. Обнаружено, что примерно в области смены знака R(T) концентрация n(T) и электропроводность проходят через минимум. Установлено, что минимумы n(T) и sigma(T), экстремумы на R(T) и инверсия знака R(T) с (-) на (+), а также завышенная температурная зависимость n propto T4 обусловлены локализацией электронов проводимости на акцепторных уровнях, входящих в зону проводимости Ag2Te. Определены значения параметров электронов (n,mun) и дырок (p,mup) в точках смены знака R(T) с (-) на (+) и с (+) на (-). PACS: 61.50.Ks, 64.70.Kb, 65.40.-b
  1. S.A. Aliev, F.F. Aliev, A.J. Demirel, F.Z. Guseinov. Turkish J. Phys., 23(6), 989 (1999)
  2. С.А. Алиев. Размытие фазовых переходов в полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках (Баку, Элм, 2007)
  3. S. Aliev, Z. Agayev. Abhandlungen Wissenschaftlichtn Gesellschaft Judischen Geveinde Berlin (Berlin, 2003) Band 3. P. 275
  4. I.M. Tsidilkovskii, M. Giriat, T.G. Kharus, E.A. Neifeld. Phys. Status Solidi B, 64(2), 717 (1974)
  5. С.А. Алиев, Р.И. Селим-заде, Т.Г. Гаджиев. Изв. вузов. Физика, 28 (17), 128 (1986)
  6. C.T. Elliott, I.L. Spain. Sol. St. Comunun., 8, 24 (1970)
  7. Б.Л. Гельмонт, М.И. Дьяконов. ЖЭТФ, 62 (2), 713 (1972)
  8. A. Manger, J. Friedee. Phys. Rev., 12, 2412 (1975)
  9. М.А. Мехтиев. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-мат. наук, 4, 412 (1975)
  10. Б.Л. Гельмонт. ФТП, 9, 1912 (1975)
  11. B.L. Gelmont, M.I. Dyakonov, V.I. Ivanov-Omskii, B.T. Kolomiets, V.K. Ogorodnikov, K.R. Smekalova. Proc. 11th Int. Conf. Phys. Semicond. (Warshawa), 2, 931 (1972)
  12. O. Ontsuki, R. Veda, K. Shindohaza, Y. Veda, S. Narit. Jap. J. Appl. Phys., 10, 1476 (1972)
  13. Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
  14. W. Scatt, R. Hagez. J. Appl. Phys., 42 (2), 803 (1972)
  15. В.И. Иванов-Омский, Б.К. Иванов, В.К. Огородников, К.Н. Смекалова. Всес. симп. (Львов, 1975) ч. 2, с. 47
  16. Л.А. Бовина, Ю.И. Савченко, В.И. Стафеев. ФТП, 9, 2034 (1975)
  17. Л.А. Бовина, В.Н. Пономаренко, В.И. Стафеев. ФТП, 12 (11), 2267 (1978)
  18. В.Г. Аранов, Б.Б. Поникарев, И.М. Цидильковский, Н.Г. Шелушина. ФТП, 13 (10), 1532 (1979)
  19. В.Г. Аранов, Б.Б. Поникарев, И.М. Цидильковский, Н.Г. Шелушина. ФТП, 13 (10), 684 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.