"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN
Усов С.О.1, Цацульников А.Ф.1, Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Синицын М.А.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

-1 Проведено исследование образцов, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, которые содержат ультратонкие слои InGaN, излучающие в спектральном интервале от ультрафиолетового до желтого диапазонов. Определены энергия Урбаха, энергии локализации экситонов и активации носителей заряда, которые характеризуют излучательные и безызлучательные процессы в квантовых точках и барьерах исследуемых структур. Показано, что значения этих энергетических параметров линейно зависят от энергии фотона в диапазоне от 3.05 до 2.12 эВ. Установлено, что изменение интенсивности излучения в зависимости от температуры связано с увеличением числа термически активированных носителей, уходящих из квантовых ям в барьеры, а также с увеличением процессов рассеяния свободных экситонов на дефектах. PACS: 78.67.De, 78.67.He, 78.55.Cr
  1. J. Christen, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 42 (11), 7213 (1990)
  2. D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nilov, N.N. Ledentsov. Proc. 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, June 20-25, 2005) p. 294
  3. С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 42, 187 (2008)
  4. R.W. Martin, P.G. Middleton, K.P. O'Donnell, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74, 263 (1999)
  5. R.J. Potter, N. Balkan. J. Phys.: Condens. Mater, 16, S3387 (2004)
  6. H.P.D. Schenk, M. Leroux, P. Mierry. J. Appl. Phys., 88 (3), 1525 (2000)
  7. M. Oueslati, M. Zouaghi, M.E. Pistol, L. Samuelson, H.G. Grimmeiss, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 32 (12), 8220 (1985)
  8. N. Nepal, J. Li, M.L. Nakarmi, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 88, 062 103 (2006)
  9. N. Grandjean, J. Massies, I. Grzegory, S. Porowski. Semicond. Sci. Technol., 16, 358 (2001)
  10. K. Kazlauskas, G. Tamulaitis, P. Pobedinskas, A. Zukauskas, M. Springis, Chi-Feng Huang, Yung-Chen Cheng, C.C. Yang. Phys. Rev. B, 71, 085 306 (2005)
  11. N. Grandjean, B. Damilano, J. Massies. J. Phys.: Condens. Mater, 13, 6945 (2001)
  12. M. Esmaeili, H. Haratizadeh, B. Monemar, P.P. Paskov, P.O. Holtz, P. Bergman, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki. Nanotechnology, 18, 025 401 (2007)
  13. S. Nagahara, M. Arita, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 88, 083 101 (2006)
  14. Q. Li, S.J. Xu, W.C. Cheng, M.H. Xie, S.Y. Tong, C.M. Che, H. Yang. Appl. Phys. Lett., 79, 1810 (2001)
  15. A. Bell, S. Srinivasan, C. Plumlee, H. Omiya, F.A. Ponce, J. Christen, S. Tanaka, A. Fujioka, Y. Nakagawa. J. Appl. Phys., 95, 4670 (2004)
  16. Yong-Hoon Cho, G.H. Gainer, J.B. Lam, J.J. Song, W. Yang, W. Jhe. Phys. Rev. B, 61, 7203 (2000)
  17. Aneeshkumar Balakrishnan Nair. Independent control of valence- and conduction-band states in composite quantum wells (Eindhoven, 2004) p. 162
  18. O. Rubel, M. Galluppi, S.D. Baranovskii, K. Volz, L. Geelhaar, H. Riechert, P. Thomas, W. Stolz. J. Appl. Phys., 98, 063 518 (2006)
  19. W.C. Ke, C.P. Fu, C.C. Huang, C.S. Ku, L. Lee, C.Y. Chen, W.C. Tsai, W.K. Chen, M.C. Lee, W.C. Chou, W.J. Lin, Y.C. Cheng. Nanotechnology, 17, 2609 (2006)
  20. Q. Li, S.J. Xu, M.H. Xie, S.Y. Tong. cond-mat/0411128, v1 (2004)
  21. M. Hugues, B. Damilano, J.-Y. Duboz, J. Massies. Phys. Rev. B, 75, 115 337 (2007)
  22. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 68, 2541 (1996)
  23. S.F. Chichibu, A.C. Abare, M.S. Minsky, S. Keller, S.B. Fleischer, J.E. Bowers, E. Hu, U.K. Mishra, L.A. Coldren, S.P. DenBaars, T. Sota. Appl. Phys. Lett., 73, 2006 (1998)
  24. L. Hrivnak. J. Appl. Phys., 72, 3218 (1992)
  25. S.O. Usov, A.F. Tsatsulnikov, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, E.M. Arakcheeva, N.N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol., 22, 528 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.