Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Усиление фотолюминесценции структур с нанокристаллическим кремнием, стимулированное низкодозовым gamma-облучением
Лисовский И.П.1, Индутный И.З.1, Муравская М.В.1, Войтович В.В.2, Гуле Е.Г.1, Шепелявый П.Е.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.
Проведено исследование спектров инфракрасного поглощения и фотолюминесценции тонкопленочных структур nc-Si/SiO2 с нанокристаллическим кремнием (nc-Si), подвергнутых ионизирующему облучению (60Co) в диапазоне доз 104-107 рад. Впервые показано, что малые дозы облучения (5·104<D<105 рад) приводят к заметному (до 40%) росту интенсивности полосы фотолюминесценции при 1.33 эВ. Инфракрасные спектры свидетельствуют об отсутствии изменения состава и структуры нанокомпозита. Обнаруженный эффект объяснен структурным упорядочением границы раздела нанокристалл-матрица, стимулированным низкодозовым облучением, т. е. устранением дефектов (рекомбинационных центров) на границах раздела nc-Si-SiO2 и вследствие этого усилением излучательного канала рекомбинации. PACS: 61.80.Ed, 78.55.Ap, 78.67.Bf, 78.67.Hc
- B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodrigues, R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91, 798 (2002)
- M. Lopez, B. Garrido, C. Garcia, P. Pellegrino, A. Perez-Rodrigues. Appl. Phys. Lett., 80, 1637 (2002)
- K. Sato, K. Hirakuri. J. Appl. Phys., 97, 104326 (2005).
- I.Z. Indutnyy, V.S. Lusenko, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, A.N. Nazarov, A.S. Tkachenko, P.E. Shepelyavyi, V.A. Dan'ko. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 9, 9 (2006)
- D. Cha, J.H. Shin, I.-H. Song, M.-K. Han. Appl. Phys. Lett., 84, 1287 (2004)
- I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, V.G. Lozinskii, G.I. Steblovskii. Thin Sol. Films, 213, 164 (1992)
- I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, V.G. Lozinskii, S.I. Frolov, H. Flietner, W. Fussel, E.G. Schmidt. J. Non-Cryst. Sol., 187, 91 (1995)
- G. Perez, J.M. Sanz. Thin Sol. Films, 416, 24 (2002)
- I.W. Boyd. Appl. Phys. Lett., 51, 418 (1987)
- И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП, 37, 98 (2003)
- A. Szekeres, T. Nikolova, A. Peneva, A. Cziraki, Gy.J. Kovacs, I. Lisovskyy, D. Mazunov, I. Indutnyy, P. Shepeliavyi. Mater. Sci. Eng. B, 124--125, 504 (2005)
- C.T. Sah. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-23, 1563 (1976)
- N.L. Dmitruk, V.G. Litovchenko, V.Ya. Kiblik. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater., 13, 381 (1986)
- Н.Л. Дмитрук. В кн.: Фундаментальные вопросы ионной имплантации (Алма-Ата, Наука, 1987) с. 60
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
- I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, R.O. Litvinov. Phys. Status Solidi A, 53, 253 (1979)
- I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, A.A. Evtukh, M.V. Muravska, V.V. Voitovych, E.G. Manojlov. Mater. XI Int. Conf. PTTFN-XI (Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2007) p. 112.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
