Вышедшие номера
Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb
Данилов Л.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Исследованы основные пороговые характеристики полупроводникового ИК-лазера на оснвое гетероструктуры с глубокими квантовыми ямами InAs0.84Sb0.16/AlSb. Найдены пороговые концентрации носителей и пороговая плотность тока излучательной и оже-рекомбинации. Показано, что при определенных параметрах квантовой ямы имеет место существенное (на несколько порядков) подавление скорости оже-рекомбинации. Длина волны излучения при этом лежит в интервале значений 2-3.5 мкм, что отвечает среднему ИК-диапазону. В работе также рассчитан внутренний квантовый выход излучения на пороге генерации и продемонстрирована его зависимость от ширины квантовой ямы в пределах области подавления оже-рекомбинации. Кроме того, произведена оптимизация лазерной структуры по числу квантовых ям. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 42.55.Px
  1. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  2. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  3. G.G. Zegrya. In: Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997)
  4. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (2008)
  5. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1132 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.