Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb
Данилов Л.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.
Исследованы основные пороговые характеристики полупроводникового ИК-лазера на оснвое гетероструктуры с глубокими квантовыми ямами InAs0.84Sb0.16/AlSb. Найдены пороговые концентрации носителей и пороговая плотность тока излучательной и оже-рекомбинации. Показано, что при определенных параметрах квантовой ямы имеет место существенное (на несколько порядков) подавление скорости оже-рекомбинации. Длина волны излучения при этом лежит в интервале значений 2-3.5 мкм, что отвечает среднему ИК-диапазону. В работе также рассчитан внутренний квантовый выход излучения на пороге генерации и продемонстрирована его зависимость от ширины квантовой ямы в пределах области подавления оже-рекомбинации. Кроме того, произведена оптимизация лазерной структуры по числу квантовых ям. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 42.55.Px
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
- Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
- G.G. Zegrya. In: Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997)
- Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (2008)
- L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1132 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
