Вышедшие номера
Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах
Данилов Л.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Исследованы основные процессы и механизмы оже-рекомбинации неравновесных носителей в полупроводниковой гетероструктуре с глубокими квантовыми ямами InAs0.84Sb0.16/AlSb. Показано, что в достаточно узких квантовых ямах преобладает беспороговый процесс оже-рекомбинации с участием двух тяжелых дырок; а в широких квантовых ямах доминирует резонансный процесс с участием двух электронов. Определена область значений ширины квантовой ямы, при которых происходит максимальное подавление оже-рекомбинации в данной структуре (область подавления). При этом основным процессом безызлучательной рекомбинации остается пороговый процесс с участием двух электронов, вероятность которого на несколько порядков меньше, чем для беспорогового и резонансного механизмов. В свою очередь беспороговый механизм с участием двух электронов в исследуемой гетероструктуре полностью исключен из-за большого разрыва зоны проводимости (значительно больше ширины запрещенной зоны). Также произведена оценка интервала длин волн излучения, соответствующего области подавления. Показано, что рассчитанный интервал принадлежит среднему ИК-диапазону. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De