Примесная проводимость монокристаллов Hg3In2Te6
Косяченко Л.А.1, Герман И.И.2, Раренко И.М.2, Захарук З.И.2, Никонюк Е.С.1
1Украинский национальный университет водного хозяйства и природопользования, Ровно, Украина
2Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 27 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.
Исследованы монокристаллы n-Hg3In2Te6 с удельным сопротивлением 1-2 Ом·см, используемые в фотодиодах на длину волны 1.55 мкм. Показано, что электропроводность материала определяется донорами двух типов с энергией ионизации 0.063 и 0.18 эВ, а подвижность носителей - преимущественно рассеянием на заряженных центрах. Исходя из уравнения электронейтральности получено количественное описание наблюдаемой температурной зависимости концентрации электронов в интервале 100-370 K. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.40.Gh
- K. Iizuka. Elements of Photonics (N. Y., Wiley, 2002)
- А.И. Малик, Г.Г. Грушка, Н.Р. Тевс. ЖТФ, 60, 146 (1990)
- А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ. 60, 188 (1990)
- В.М. Кошкин, И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич, Л.П. Гальчинский, И.М. Раренко. В кн.: Диэлектрики и полупроводники в детекторах излучения (Харьков, Ин-т монокристаллов, 2007)
- Г.Г. Грушка, З.М. Грушка, Н.П. Гавалешко. Укр. физ. журн., 30, 307 (1985)
- Д.Б. Анальина, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, В.Л. Хейфец. Неорг. матер., 16, 1534 (1980)
- Л.А. Косяченко, Ю.С. Паранчич, В.Н. Макогоненко, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.И. Герман. ЖТФ, 73, 126 (2003)
- Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, Е.Ф. Склярчук, И.И. Герман, Sun Weiguo. ФТП, 40, 568 (2006)
- Л.А. Косяченко, Ю.С. Паранчич, И.И. Герман, С.Г. Гуминецкий. Укр. физ. журн., 51 (1-12), 1048 (2006)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.