"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллических соединений AgCd2GaS4
Булатецкая Л.В.1, Божко В.В.1, Давидюк Г.Е.1, Парасюк О.В.1
1Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Исследовались малоизученные монокристаллические соединения AgCd2GaS4, которые кристаллизуются в ромбической структуре (пространственная группа Pmn21). Нарушение стехиометрии образцов и статистическое заполнение ионами атомов Ag и Ga катионной подрешетки ведет к нарушению дальнего порядка в расположении атомов и приближает соединения AgCd2GaS4 к неупорядоченным системам. При этом наблюдается размытие и смещение в длинноволновую область края полосы собственного поглощения, которая хорошо описывается правилом Урбаха, а также расширение спектров фотопроводимости и люминесценции. Рассчитана концентрация точечных заряженных дефектов, ответственных за размытие края поглощения. Она оказалась равной 1.2·1020 см-3. Монокристаллы AgCd2GaS4 являются фоточувствительными полупроводниками. По положению края поглощения была оценена оптическая ширина запрещенной зоны соединения (Eg0~2.28 эВ при T~297 K). Спектры фотолюминесценции монокристаллов AgCd2GaS4 подобны таковым, которые имеют место в дефектных монокристаллах CdS с положением максимумов излучения, сдвинутым по отношению к максимумам в CdS в длинноволновую область на величину Deltalambda~0.06-0.1 мкм. Из анализа экспериментальных данных делаются выводы о природе фотоактивных центров в соединениях AgCd2GaS4. PACS: 72.40.+w, 74.70.Dd, 78.55.-m
  1. S.Y. Chykhriy, O.V. Parasyuk, V.O. Halka. J. Alloys Comp., 321, (1--2), 189 (2000)
  2. I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk, V.O. Halka, L.V. Piskach, V.Z. Pankevych, Ya.E. Romanyuk. J. Alloys Comp., 325, 167 (2001)
  3. I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk, O.M. Yurchenko, V.Z. Pankevych, V.I. Zaremba, R. Valiente, Ya.E. Romanyuk. J. Cryst. Growth, 279, 140 (2005)
  4. V.V. Atuchin, V.Z. Pankevich, O.V. Parasyuk, N.V. Pervukhina, L.D. Pokrovsky, V.G. Remesnik, V.N. Uvarov, V.I. Pekhnyo. J. Cryst. Growth, 292, 494 (2006)
  5. Г.Е. Давидюк, И.Д. Олексеюк, О.В. Парасюк, С.В. Воронюк, О.А. Гусак, В.И. Пехньо. Укр. физ. журн., 50 (5), 679 (2005)
  6. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайнер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  7. Н. Мотт, Е. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974) с. 51, 207, 211, 231
  8. А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, 19 (2), 193 (1985)
  9. Е.Ф. Венгер, И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, В.П. Папуша. ФТП, 36 (7), 817 (2002)
  10. А.Н. Георгобиани, В.С. Дону, З.П. Илюхина, В.И. Павленко, И.М. Тигиняну. ФТП, 17 (8), 1524 (1983)
  11. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981) с. 179
  12. Оптические свойства полупроводников. Справочник, под ред. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко (Киев, Наук. думка, 1987) с. 388
  13. Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, Г.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. Неорг. матер., 33 (1), 20 (1997)
  14. В.С. Лысаков, Л.В. Селимов. Изв. вузов. Физика, 23 (6), 121 (1980)
  15. И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекарь, М.К. Шейнкман. Укр. физ. журн., 18 (5), 732 (1973)
  16. Н.С. Богданюк, Г.Е. Давидюк, Г.П. Шаварова. ФТП, 29 (2), 357 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.