Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe

Зобов Е.М.¹, Зобов М.Е.¹, Габибов Ф.С.¹, Камилов И.К.¹, Маняхин Ф.И.², Наими Е.К.²

¹Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

²Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет) Москва, Россия

Поступила в редакцию: 25 апреля 2007 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты влияния ультразвуковой обработки кристаллов ZnSe на структуру энергетического спектра электронных состояний центров с глубокими уровнями, формирующими фотоэлектрические и люминесцентные свойства данного соединения. Впервые экспериментально доказано, что движение краевых дислокаций под действием ультразвука приводит к перегруппировке и генерации дефектов, образующих глубокие уровни, проявляющиеся в эффектах фоточувствительности и излучательной рекомбинации. PACS: 71.55.Gs, 72.40.+w, 78.55.Et

И.В. Островский, В.Н. Лысенко. ФТП, 15(9), 1844 (1981)
И.В. Островский, В.Н. Лысенко. ФТT, 24(4), 1206 (1982)
А.П. Здепский, С.С. Остапенко, А.У. Савчук и др. Письма ЖТФ, 10(20), 1243 (1984)
А.П. Здепский, Н.В. Миронюк, С.С. Остапенко и др. ФТП, 20(10), 1861 (1986)
В.Л. Громашевский, В.В. Дякин, Е.А. Сальков и др. УФЖ, 29(4), 550 (1984)
И.В. Островский, В.Н. Лысенко. ФТT, 26(2), 531 (1984)
Ф.И. Маняхин, Е.К. Наими, О.И. Рабинович, В.П. Сушков. Завод. лаб., сер. Диагностика материалов, 72(5), 20 (2006)
Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман (М., Наука, 1986)
W.T. Read. Phil. Mag., 45, 775 (1954)
W.T. Read. Phil. Mag., 45, 1119 (1954)
Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1974)
Л.Г. Кириченко, В.Ф. Петренко, Г.В. Уймин. ЖЭТФ, 74(2), 742 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель