Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О способах испарения Si и легирующих примесей в методах вакуумной эпитаксии

Кузнецов В.П.¹, Алябина Н.А.¹, Боженкин В.А.¹, Белова О.В.¹, Кузнецов М.В.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 7 июня 2007 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Cлои Si выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500-900^oC со скоростью 1 мкм/ч в вакууме 10^-5 Па. Показана возможность изменения концентрации Sb в слоях Si в интервале от 10¹⁵ до 10²⁰ см^-3 путем изменения температуры эпитаксии. Анализируются возможности разных способов испарения Si и легирующих примесей в вакууме. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lg, 78.60.Fi, 85.30.Kk

J.F. Nutzel, G. Absteiter. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, 9, 57 (1990)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов, А.Н. Туманова. Кристаллография, 24, 1028 (1979)
В.П. Кузнецов. А.с. СССР, N 343324, приоритет от 1970 г
V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12 (6), 1556 (2006)
T. Gregorkiewicz, B.A. Andreev, M. Forsales, I. Izzedin, W. Jantsch, Z.F. Krasil'nik, D.I. Krizhov, V.P. Kuznetsov, J.M. Zavada. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12 (6), 1539 (2006)
В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова. Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель