"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О способах испарения Si и легирующих примесей в методах вакуумной эпитаксии
Кузнецов В.П.1, Алябина Н.А.1, Боженкин В.А.1, Белова О.В.1, Кузнецов М.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Cлои Si выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500-900oC со скоростью 1 мкм/ч в вакууме 10-5 Па. Показана возможность изменения концентрации Sb в слоях Si в интервале от 1015 до 1020 см-3 путем изменения температуры эпитаксии. Анализируются возможности разных способов испарения Si и легирующих примесей в вакууме. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lg, 78.60.Fi, 85.30.Kk
  1. J.F. Nutzel, G. Absteiter. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
  2. В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Электронная промышленность, 9, 57 (1990)
  3. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  4. В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов, А.Н. Туманова. Кристаллография, 24, 1028 (1979)
  5. В.П. Кузнецов. А.с. СССР, N 343324, приоритет от 1970 г
  6. V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12 (6), 1556 (2006)
  7. T. Gregorkiewicz, B.A. Andreev, M. Forsales, I. Izzedin, W. Jantsch, Z.F. Krasil'nik, D.I. Krizhov, V.P. Kuznetsov, J.M. Zavada. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12 (6), 1539 (2006)
  8. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова. Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.