"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование приповерхностной протонно-стимулированной диффузии бора в кремнии
Александров О.В.1, Козловский В.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Впервые разработана количественная модель приповерхностного перераспределения легирующей примеси в кремнии в процессе протонно-стимулированной диффузии. Согласно модели, приповерхностный пик концентрации примеси обусловлен миграцией к поверхности нейтральных пар примесь--собственный межузельный атом с последующим их распадом и накоплением примеси на поверхности кремния в тонком delta-слое. Следующие в глубь за приповерхностным пиком концентрации области обеднения и обогащения вызваны вытеснением ионизованной примеси электрическим полем из приповерхностной области его проникновения. Поле создается образующимся под действием протонного облучения зарядом пленки естественного оксида на поверхности кремния. Диффузионно-кинетические уравнения для примеси, собственных межузельных атомов, вакансий и пар примесь--собственный межузельный атом решались численно совместно с уравнением Пуассона. Показано количественное соответствие расчетов экспериментальным данным по протонно-стимулированной диффузии примеси бора в приповерхностной области кремния. PACS: 61.72.Bb, 66.30.Jt, 61.72.Tt, 85.40.Ry
  • P. Baruch, C. Constantin, J.C. Pfister, R. Saintesprit. Disc. Faraday Soc., 31, 86 (1961)
  • R.L. Minear, D.G. Nelson, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 43 (8), 3468 (1972).
  • S.M. Myers, D.E. Amos, D.K. Brice. J. Appl. Phys., 47 (5), 1812 (1976)
  • B.J. Masters, E.F. Gorey. J. Appl. Phys., 49 (5), 2717 (1978)
  • Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  • P. Baruch. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 126 (1977)
  • W.K. Chu, R.H. Kastl, R.F. Lever, S. Mader, B.J. Masters. Phys. Rev. B, 16 (9), 3851 (1977)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТП, 16 (11), 2089 (1982)
  • M. Kurata, Y. Morikawa, K. Nagaki, H. Kuroda. Jpn. J. Appl. Phys., 12 (3), 472 (1973)
  • W. Akutagava, H.L. Dunlap, R. Hart, O.J. Marsh. J. Appl. Phys., 50 (2), 777 (1979)
  • V.V. Kozlovski, V.N. Lomasov, L.S. Vlasenko. Rad. Eff., 106, 37 (1988)
  • Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 26 (11), 1977 (1992)
  • P. Baruch, S. Loualiche, C. Lukas, J.P. Gailliard, J.C. Pfister, R. Truche. Радиационная физика полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 1980)
  • S. Loualiche, C. Lukas, P. Baruch, J.P. Gailliard, J.C. Pfister. Phys. Status Solidi A, 69, 663 (1982)
  • В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ФТП, 18 (5), 956 (1984)
  • И.А. Аброян, А.И. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  • A.V. Kondrachuk. Phys. Status. Solidi A, 112, 411 (1989)
  • R.B. Fair. In: Impurity doping processes in silicon, ed. by F.F.Y. Wang (N.Y., 1981)
  • G.D. Watkins. J. Phys. Soc. Japan, 18 (Suppl. II), 22 (1963)
  • G.B. Bronner, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 46 (5), 510 (1985)
  • U. Gosele, A. Plossl, T.Y. Tan. In: Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology, ed. by G.R. Srinivasan, C.S. Murthy and S.T. Dunham (N.Y., 1996)
  • О.В. Александров. ФТП, 38 (3), 270 (2004)
  • А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск, Изд-во БГУ, 1980)
  • Дж. Корбетт, Ж. Бургуэн. Дефектообразование в полупроводниках. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах, пер. под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец и А.Н. Орлова (М., Мир, 1979) с. 9. [J.W. Corbett, J.C. Bourgoin. Defect creation in semiconductors. In: Point Defects in Solids, 2. Semiconductors and Molecular Crystals, ed. by J.H. Crawford, L.M. Slifkin (London, N.Y., Plenum Press, 1975) p. 1]
  • B.R. Chakraborty. Appl. Surf. Sci., 221, 143 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.