Вышедшие номера
Бистабильные амфотерные центры в полупроводнике
Никитина А.Г.1, Зуев В.В.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Показано, что в условиях термодинамического равновесия освобождение носителей заряда из локализованных состояний бистабильных амфотерных центров в квазисвободные зависит от степени компенсации, что приводит к различным функциональным зависимостям концентрации свободных носителей от температуры. Обнаружено, что в случае некомпенсированного полупроводника, как для бистабильных амфотерных центров, так и для бистабильных амфотерных U--центров, концентрация свободных носителей будет изменяться по одному и тому же закону, хотя распределения по зарядовым состояниям и конфигурациям для этих центров различны. Результаты работы могут быть использованы для объяснения разнообразных экспериментальных данных, в которых традиционный подход встречает трудности. PACS: 61.72.Bb, 61.72.Ji, 71.55.-i, 72.20.Fr