Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Каналы излучательной рекомбинации в Si/Si1-xGex-наноструктурах
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 22 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
С помощью решения 2D уравнения Шредингера установлены закономерности распределения носителей заряда в наноструктурах Si/Si1-xGex и изменения эффективности излучательной рекомбинации при переходе от кластеров 2D пирамидальной формы к 3D кластерам куполообразной формы с ростом толщин нанослоев. Учтено влияние состава слоев на эффективность упругого напряжения в структуре и, как следствие, на изменение зон проводимости и валентной зоны Si1-xGex-наноструктур. При реализации предложенной кинетической модели, описывающей рекомбинационные процессы в кристаллических структурах, обнаружено насыщение интенсивности излучения с увеличением интенсивности накачки, что обусловлено увеличением вклада оже-рекомбинации. Снижение вклада безызлучательной оже-рекомбинации достигается снижением темпа инжекции носителей заряда в кластеры, а именно увеличением концентрации кластеров и увеличением скорости излучательной рекомбинации. PACS: 78.67.-n, 78.60.Fi
- V. Yam, Vinh Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63, 033 313 (2001)
- P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhes, V. Le Thanh, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 64, 155 310 (2001)
- T.K. Nguyen-Duc, V. Le Thanh, L.H. Nguyen, F.A. d'Avitaya, J. Derrien. J. Vac. Sci. Tech. B, 20 (3), 1251 (2002)
- O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 75, 1905 (1999)
- Л.К. Орлов, Ж.Й. Хорват, А.В. Потапов, М.Л. Орлов, С.В. Ивин, В.И. Вдовин, Э.А. Штэйнман, В.М. Фомин. ФТТ, 46, 2069 (2004)
- Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, А.О. Погосов, М.М. Рзаев, Н.Н. Сибельдин, В.А. Цветков. ФТТ, 46, 74 (2004)
- D.J. Paul, P. See, I.V. Zozoulenko, K.-F. Berggren, B. Kabius, B. Hollaender, S. Mantl. Appl. Phys. Lett., 77, 1653 (2000)
- J.A. Berashevich, J.-L. Lazzari, V. Le Thanh, F. Arnaud d'Avitaya. Physics Chemistry and Application of Nanostructures (Minsk, Belarus, 2005) p. 548
- F. Ben Zid, A. Bhouri, H. Mejri, R. Tlili, M. Said, J.-L. Lazzari, F. Arnaud d'Avitaya, J. Derrien. J. Appl. Phys., 91, 9170 (2002)
- J.A. Berashevich, V.E. Borisenko, J.-L. Lazzari, F. Arnaud d'Avitaya. Phys. Rev. B (2007)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) т. 1, с. 588--591
- N. Sfina, J.-L. Lazzari, J. Derrien, F. Arnaud d'Avitaya, M. Said. Eur. Phys. J. B, Condens. Matt. Phys., 48, 151 (2005)
- J.A. Berashevich, A.L. Danilyuk, A.N. Kholod, V.E. Borisenko. Mater. Sci. Engin. B, 101, 111 (2003)
- Ю.А. Берашевич, Б.В. Каменев, В.Е. Борисенко. ФТТ, 36, 221 (2002)
- N. Sfina, J.-L. Lazzari, F. Ben Zid, A. Bhouri, M. Said. Opt. Mater., 27 (5), 859 (2005)
- D. Kovalev, H. Hecler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 215, 871 (1999)
- А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко, И.О. Соколовский, О.М. Сресели. ФТП, 38, 877 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
