"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Каналы излучательной рекомбинации в Si/Si1-xGex-наноструктурах
Берашевич Ю.А.1, Панфиленок А.С.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 22 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

С помощью решения 2D уравнения Шредингера установлены закономерности распределения носителей заряда в наноструктурах Si/Si1-xGex и изменения эффективности излучательной рекомбинации при переходе от кластеров 2D пирамидальной формы к 3D кластерам куполообразной формы с ростом толщин нанослоев. Учтено влияние состава слоев на эффективность упругого напряжения в структуре и, как следствие, на изменение зон проводимости и валентной зоны Si1-xGex-наноструктур. При реализации предложенной кинетической модели, описывающей рекомбинационные процессы в кристаллических структурах, обнаружено насыщение интенсивности излучения с увеличением интенсивности накачки, что обусловлено увеличением вклада оже-рекомбинации. Снижение вклада безызлучательной оже-рекомбинации достигается снижением темпа инжекции носителей заряда в кластеры, а именно увеличением концентрации кластеров и увеличением скорости излучательной рекомбинации. PACS: 78.67.-n, 78.60.Fi
  1. V. Yam, Vinh Le Thanh, Y. Zheng, P. Boucaud, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 63, 033 313 (2001)
  2. P. Boucaud, S. Sauvage, M. Elkurdi, E. Mercier, T. Brunhes, V. Le Thanh, D. Bouchier. Phys. Rev. B, 64, 155 310 (2001)
  3. T.K. Nguyen-Duc, V. Le Thanh, L.H. Nguyen, F.A. d'Avitaya, J. Derrien. J. Vac. Sci. Tech. B, 20 (3), 1251 (2002)
  4. O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 75, 1905 (1999)
  5. Л.К. Орлов, Ж.Й. Хорват, А.В. Потапов, М.Л. Орлов, С.В. Ивин, В.И. Вдовин, Э.А. Штэйнман, В.М. Фомин. ФТТ, 46, 2069 (2004)
  6. Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, А.О. Погосов, М.М. Рзаев, Н.Н. Сибельдин, В.А. Цветков. ФТТ, 46, 74 (2004)
  7. D.J. Paul, P. See, I.V. Zozoulenko, K.-F. Berggren, B. Kabius, B. Hollaender, S. Mantl. Appl. Phys. Lett., 77, 1653 (2000)
  8. J.A. Berashevich, J.-L. Lazzari, V. Le Thanh, F. Arnaud d'Avitaya. Physics Chemistry and Application of Nanostructures (Minsk, Belarus, 2005) p. 548
  9. F. Ben Zid, A. Bhouri, H. Mejri, R. Tlili, M. Said, J.-L. Lazzari, F. Arnaud d'Avitaya, J. Derrien. J. Appl. Phys., 91, 9170 (2002)
  10. J.A. Berashevich, V.E. Borisenko, J.-L. Lazzari, F. Arnaud d'Avitaya. Phys. Rev. B (2007)
  11. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) т. 1, с. 588--591
  12. N. Sfina, J.-L. Lazzari, J. Derrien, F. Arnaud d'Avitaya, M. Said. Eur. Phys. J. B, Condens. Matt. Phys., 48, 151 (2005)
  13. J.A. Berashevich, A.L. Danilyuk, A.N. Kholod, V.E. Borisenko. Mater. Sci. Engin. B, 101, 111 (2003)
  14. Ю.А. Берашевич, Б.В. Каменев, В.Е. Борисенко. ФТТ, 36, 221 (2002)
  15. N. Sfina, J.-L. Lazzari, F. Ben Zid, A. Bhouri, M. Said. Opt. Mater., 27 (5), 859 (2005)
  16. D. Kovalev, H. Hecler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 215, 871 (1999)
  17. А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко, И.О. Соколовский, О.М. Сресели. ФТП, 38, 877 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.