"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN
Антонова И.В.1, Поляков В.И.2, Руковишников А.И.2, Мансуров В.Г.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

На основе измерений вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и спектроскопии глубоких уровней проведено сравнение концентрации центров с глубокими уровнями и проводимости канала гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота. Обнаружены два типа центров с глубокими уровнями, одни из которых предположительно связаны с точечными дефектами, локализованными вблизи дислокаций, а вторые собственно с дислокациями. Увеличение концентрации центров с глубокими уровнями коррелирует с увеличением удельного сопротивления канала. Плотность центров с глубокими уровнями может достигать значений ~1013 см-2 и приводить к компенсации электронного канала на гетерогранице. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lq, 73.61.Ey
  1. H.X. Jiang, J.Y. Lin. Opto-Electronics Rev., 10, 271 (2002)
  2. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weinman, K. Chu, M. Murphy, A.J. Sierakowski, W.J. Schaff, L.F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, M. Stutzmann. J. Appl. Phys., 87, 334 (2000)
  3. A. Asgari, M. Kalafi, L. Faraone. J. Appl. Phys., 95, 1185 (2004)
  4. В.И. Поляков, П.И. Перов, О.Н. Ермакова, М.Г. Ермаков, А.И. Руковишников, В.И. Сергеев. ФТП, 23, 76 (1989)
  5. V.D. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  6. D. Poss. Appl. Phys. Lett., 37, 413 (1980)
  7. W. Schroter, H. Cerva. Sol. St. Phenomena, 85\&86, 64 (2002)
  8. Z.-Q. Fang, D.C. Look, X.-L. Wang, J. Han, F.A. Khan, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 82, 1562 (2003)
  9. L. Lee, F.C. Chang, H.M. Chung, M.C. Lee, W.H. Chen, W.K. Chen. Chinese J. Phys., 40, 424 (2002)
  10. K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
  11. J. Osaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani. Appl. Phys. Lett., 87, 222 112 (2005)
  12. A. Hierro, A.R. Arehart, B. Heying, M. Hansen, J.S. Speck, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, S.A. Ringel. Phys. Status Solidi B, 228, 309 (2001)
  13. L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht, T. Remmele, H.P. Strunk. Phys. Rev. Lett., 93, 196 401 (2004)
  14. Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, С.В. Новиков, T.S. Cheng, C.T. Foxon, ФТП, 34, 903 (2000)
  15. V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, Yu.G. Galitsyn, S.N. Svitasheva, K.S. Zhuravlev, Z. Osvath, L. Dobos, Z.E. Horvath, B. Pecz. J. Cryst. Growth, 300, 145 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.