Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 1 » Статья стр. 45
<<<>>>
Расщепление пика натрия на динамических вольт-амперных характеристиках конвективных ионных токов структур металл--окисел--полупроводник
Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
PDF версия
Представлены результаты совместных измерений динамических вольт-амперных характеристик и вольт-фарадных характеристик структур металл-окисел-полупроводник в диапазоне температур T~ 420-470 K и скоростей развертки напряжения betaV=0.5-1000 мВ/с. Из обычных ионных токов выделены Icon(V) конвективных токов в окисле. На кривых Icon(V) пики ионов Na+ расщепляются. Кроме того, на начальных участках "быстрых" Icon(V) с betaV>~= 10 мВ/с заметна огибающая, что свидетельствует о наличии некоторого квазистационарного режима транспорта ионов. Более равновесный режим при медленных betaV<1 мВ/с развертках проявляется в виде стабилизации формы пиков конвективных токов. Обсуждается природа эффективной нейтрализации вторых пиков на зависимостях Icon(V). PACS: 66.30.Dm, 66.30.Jt, 66.30.Qa, 85.30.De, 85.30.Tv.
  1. M. Yamin. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-12 (3), 88 (1965)
  2. D.R. Kerr. Proc. Int. Conf. on the Properties and Use of MIS Structures, ed. by J. Bovel (Grenoble, France, 1969) p. 303
  3. N.J. Chou. J. Electrochem. Soc., 118 (4), 601 (1971)
  4. M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc., 118 (6), 966 (1971)
  5. E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal--Oxide--Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., J. Willey \& Sons, 1982)
  6. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 34 (8), 970 (2000)
  7. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 35 (2), 192 (2001)
  8. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 36 (2), 205 (2002)
  9. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, В.Е. Сизов. РЭ, 51 (2), 133 (2006)
  10. H.M. Przewlocki, W. Marciniak. Phys. Status. Solid. A, 29 (1), 265 (1975)
  11. A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhoek. J. Appl. Phys., 49 (11), 5576 (1978)
  12. G.F. Derbenwick. J. Appl. Phys., 48 (3), 1127 (1977)
  13. L. Stauffer, T. Willey, T. Tiwald, R. Hance, P. Rai-Choudhury, D.K. Schroder. Sol. St. Technol., 38 (8), S3 (1995)
  14. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13 (2), 222 (1966)
  15. K. Yamashita, T. Hino. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (10), 1437 (1982)
  16. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31 (12), 1468 (1997)
  17. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. В.Е. Сизов. РЭ, 51 (6), 763 (2006)
  18. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, В., В.М. Носырев. ПТЭ, 4, 140 (2001)
  19. G. Greeuw, M.W. Hillen, G.H.P. Konke. Rev. Sci. Instrum., 53 (9), 1452 (1982)
  20. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. РЭ, 49 (8), 978 (2004)
  21. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. РЭ, 49 (8), 984 (2004)
  22. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. РЭ, 48 (3), 345 (2003)
  23. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, В.М. Носырев, В.Е. Сизов. РЭ, 52 (1), 85 (2007)
  24. H.M. Przewlocki, W. Marciniak. J. Electrochem. Soc. 123 (8), 1207 (1976)
  25. R.K. Waits, J. Vac. Sci. Technol. A, 18 (4), 1736 (2000)
  26. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46 (6), 2583 (1975)
  27. P.K. Nauta, M.W. Hillen. J. Appl. Phys., 49 (5), 2862 (1978)
  28. T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50 (7), 4879 (1979)
  29. J.F. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Prog. Phys., 53 (10), 1297 (1990)
  30. R.J. Kriegler. Denki Kagaku, 41 (7), 466 (1973)
  31. M.W. Hillen, J.F. Verwey. In: Instabilities in Silicon Devices: Silicon Passivation and Related Instabilities, ed. by G. Barbottin, A. Vapaille (Amsterdam, Elsevier Science Publishers B. V., 1986) p. 403
  32. S.R. Hofstein. Appl. Phys. Lett., 10 (10), 291 (1967)
  33. B. Yurash, B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 115 (11), 1191 (1968)
  34. S.R. Hofstein. Sol. St. Electron., 10 (7), 657 (1967)
  35. N. Lifshitz, G. Smolinsky. J. Electrochem. Soc., 136 (8), 2335 (1989).
  36. W.L. Warren, D.M. Fleetwood, J.R. Schwank, M.R. Shaneyfelt, B.L. Draper, P.S. Winokur, M.G. Knoll, K. Vanheusden, R.A.B. Devine, L.B. Archer, R.M. Wallace. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-44 (6), 1789 (1997)
  37. N.D. Young, A. Gill. Appl. Surf. Sci., 39 (1--4), 364 (1989)
  38. M. Nemeth-Sallay, R. Szabo, I.C. Szep, P. Tutto. Thin Sol. Films, 70 (1), 37 (1980)
  39. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии. (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
  40. P. Balk. Microelectronic Engin., 48, 3 (1999)
  41. A.G. Revesz. J. Electrochem. Soc., 126 (1), 122 (1979)
  42. D.L. Griscom. J. Appl. Phys., 58 (7), 2524 (1985)
  43. F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-27 (6), 1651 (1980)
  44. F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-35 (6), 1178 (1988)
  45. D.J. DiMaria, J.W. Stasiak. J. Appl. Phys., 65 (6), 2342 (1989)
  46. J.H. Stathis, D.J. DiMaria. Appl. Phys. Lett., 61 (24), 2887 (1992)
  47. Semicond. Sci. Technol., 4 (12) (1989)
  48. L. Do Thanh, P. Balk. J. Electrochem. Soc., 135 (7), 1797 (1988)
  49. K.L. Brower, S.M. Myers. Appl. Phys. Lett., 57 (2), 162 (1990)
  50. E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63 (11), 1510 (1993)
  51. D.J. DiMaria. In: Physics of SiO2 and its Interfaces, ed by S.T. Pantelides (N.Y., Pergamon Press, 1978) p. 160
  52. S.R. Butler, F.J. Feigl, Y. Ota, D.J. DiMaria. In: Thermal and Photostimulated Currents in Insulators, ed. by D.J. Smyth (N.Y., Electrochemical Society, 1976) p. 149
  53. D.J. DiMaria, J.M. Aitken, D.R. Young. J. Appl. Phys., 47 (6), 2740 (1976)
  54. D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52 (12), 7251 (1981)
  55. T.H. Ning. J. Appl. Phys., 49 (12), 5997 (1978)
  56. F.M. Fowkes, T.E. Burgess. Surf. Sci., 13 (1), 184 (1969)
  57. R. Williams. J. Vac. Sci. Technol., 14 (5), 1106 (1977)
  58. R. Williams. J. Vac. Sci. Technol., 13 (1), 12 (1976)
  59. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33 (8), 962 (1999)
  60. J. Monkowski, J. Stach, R.E. Tressler. J. Electrochem. Soc., 126 (7), 1129 (1979)
  61. H. Frenzel, B.R. Singh, K. Haberle, P. Balk. Thin Sol. Films, 58 (2), 301 (1979)
  62. J.H. Stagg, M.R. Boudry. J. Appl. Phys., 52 (2), 885 (1981)
  63. L. Manchanda, J. Vasi, A.B. Bhattacharyya. Appl. Phys. Lett., 37 (8), 744 (1980)
  64. Y.C. Cheng. In: Modern problems of surface physics, ed. I.J. Lalov (Sofia, Publishing House of the Bulgarian Academy of Sciences, 1981) p. 620
  65. D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc., 119 (11), 1589 (1972)
  66. M.W. Hillen, D.G. Hemmes. Sol. St. Electron., 24 (8), 773 (1981)
  67. E. Rosencher, R. Coppard. J. Appl. Phys., 55 (4), 971 (1984)
  68. R. Castagne, A. Vapaille. Surf. Sci., 28 (1), 157 (1971)
  69. C.C. Chang, W.C. Johnson. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24 (10), 1249 (1977)
  70. A. Hartstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73 (1), 19 (1978)
  71. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  72. A.B. Fowler, A. Hartstein. Surf. Sci., 98 (1--3), 169 (1980)
  73. V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. Progr. Surf. Sci., 41 (2), 111 (1992).
  74. D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 48 (12), 5149 (1977)
  75. Z. Shanfield. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-30 (6), 4064 (1983)
  76. K. Yamashita, M. Iwamoto, T. Hino. J. Appl. Phys., 20 (8), 1429 (1981)
  77. M.W. Hillen. In: The Physics of SiO2 and its Interfaces, ed. S.T. Pantelides (N.Y., Pergamon Press, 1978) p. 179
  78. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30 (7), 1231 (1996)
  79. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 32 (12), 1439 (1998)
  80. D. Babic, E.H. Nicollian. J. Appl. Phys., 78 (7), 4516 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme