"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика поляризационного тока в широкозонном фотопроводнике Pb3O4
Аванесян В.Т.1, Бордовский В.А.1, Баранова Е.П.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Приведены результаты исследования процессов изотермической поляризации слоев высокоомного полупроводника Pb3O4 в постоянном электрическом поле различной напряженности, в темновом и световом режимах. Для интерпретации полученных данных привлекается эстафетный механизм переноса заряда по локальным состояниям запрещенной зоны. Получены значения параметров, характеризующих релаксационные явления: контактной емкости, ширины области накопления заряда и его эффективной подвижности. PACS: 73.40.Sx, 73.50.Pz, 77.22.Ej
  1. Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997)
  2. K. Yuji. Kagky Kogyo, 36 (7), 507 (1985)
  3. V.T. Avanesyan, A. Badakhshan. Proc. of 10 th Int. Symp. on Electrets ISE 10 (Delphi, Greece, 1999) p. 205
  4. J.G. Simmons, M.C. Tam. Phys. Rev. B, 7 (8), 3706 (1973)
  5. В.Т. Аванесян, В.А. Бордовский, Р.А. Кастро. ФТП, 31 (11), 1340 (1997)
  6. A.K. Jonsher. Universal Relaxation Law (London, Chelsea Dielectric Press, 1996)
  7. K.L. Ngai, A.K. Jonsher, C.T. White. Nature, 2777 (5693), 185 (1979)
  8. V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii. J. Non-Cryst. Sol., 351, 2849 (2005)
  9. V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii, S.A. Potachev. J. Non-Cryst. Sol., 305, 136 (2002)
  10. В. Хейванг. Аморфные и поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1987) с. 160
  11. Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
  12. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорг. матер., 25 (2), 212 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.