Кинетика поляризационного тока в широкозонном фотопроводнике Pb3O4
Аванесян В.Т.1, Бордовский В.А.1, Баранова Е.П.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Приведены результаты исследования процессов изотермической поляризации слоев высокоомного полупроводника Pb3O4 в постоянном электрическом поле различной напряженности, в темновом и световом режимах. Для интерпретации полученных данных привлекается эстафетный механизм переноса заряда по локальным состояниям запрещенной зоны. Получены значения параметров, характеризующих релаксационные явления: контактной емкости, ширины области накопления заряда и его эффективной подвижности. PACS: 73.40.Sx, 73.50.Pz, 77.22.Ej
- Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997)
- K. Yuji. Kagky Kogyo, 36 (7), 507 (1985)
- V.T. Avanesyan, A. Badakhshan. Proc. of 10 th Int. Symp. on Electrets ISE 10 (Delphi, Greece, 1999) p. 205
- J.G. Simmons, M.C. Tam. Phys. Rev. B, 7 (8), 3706 (1973)
- В.Т. Аванесян, В.А. Бордовский, Р.А. Кастро. ФТП, 31 (11), 1340 (1997)
- A.K. Jonsher. Universal Relaxation Law (London, Chelsea Dielectric Press, 1996)
- K.L. Ngai, A.K. Jonsher, C.T. White. Nature, 2777 (5693), 185 (1979)
- V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii. J. Non-Cryst. Sol., 351, 2849 (2005)
- V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii, S.A. Potachev. J. Non-Cryst. Sol., 305, 136 (2002)
- В. Хейванг. Аморфные и поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1987) с. 160
- Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорг. матер., 25 (2), 212 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
