Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кинетика поляризационного тока в широкозонном фотопроводнике Pb₃O₄

Аванесян В.Т.¹, Бордовский В.А.¹, Баранова Е.П.¹, Грабко Г.И.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 апреля 2007 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования процессов изотермической поляризации слоев высокоомного полупроводника Pb₃O₄ в постоянном электрическом поле различной напряженности, в темновом и световом режимах. Для интерпретации полученных данных привлекается эстафетный механизм переноса заряда по локальным состояниям запрещенной зоны. Получены значения параметров, характеризующих релаксационные явления: контактной емкости, ширины области накопления заряда и его эффективной подвижности. PACS: 73.40.Sx, 73.50.Pz, 77.22.Ej

Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997)
K. Yuji. Kagky Kogyo, 36 (7), 507 (1985)
V.T. Avanesyan, A. Badakhshan. Proc. of 10 th Int. Symp. on Electrets ISE 10 (Delphi, Greece, 1999) p. 205
J.G. Simmons, M.C. Tam. Phys. Rev. B, 7 (8), 3706 (1973)
В.Т. Аванесян, В.А. Бордовский, Р.А. Кастро. ФТП, 31 (11), 1340 (1997)
A.K. Jonsher. Universal Relaxation Law (London, Chelsea Dielectric Press, 1996)
K.L. Ngai, A.K. Jonsher, C.T. White. Nature, 2777 (5693), 185 (1979)
V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii. J. Non-Cryst. Sol., 351, 2849 (2005)
V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii, S.A. Potachev. J. Non-Cryst. Sol., 305, 136 (2002)
В. Хейванг. Аморфные и поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1987) с. 160
Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорг. матер., 25 (2), 212 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель