"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x
Бордовский Г.А.1, Кастро Р.А.1, Марченко А.В.1, Немов С.А.2, Серегин П.П.1
1Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Количественное соотношение в стеклах (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x двухвалентного и четырехвалентного олова зависит от скорости закалки расплава и его температуры. Облучение стекол gamma-квантами приводит к частичному окислению двухвалентного олова с образованием аморфной (мелкодисперсной) фазы SnO2, блокированной стеклом, так что физико-химические свойства стекол (плотность, микротвердость, температура стеклования и энергия активации электропроводности) практически не изменяются при облучении. PACS: 61.43.Fs, 76.80+y, 78.66.Jg
  1. Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро, П.П. Серегин, Е.И. Теруков. ФТП, 41, 23 (2007)
  2. Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, В.Ф. Мастеров, П.П. Серегин. ФТТ, 41, 1897 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.