Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксация фотодиэлектрического эффекта в слоях Pb₃O₄

Аванесян В.Т.¹, Баранова Е.П.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 января 2007 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены экспериментальные результаты исследования кинетики фотодиэлектрического эффекта в слоях свинцового сурика Pb₃O₄. Фотоемкостные свойства и диэлектрические потери в условиях светового возбуждения изучались при варьировании спектрального состава излучения в области низких частот измерительного поля. Величины изменений диэлектрических параметров устанавливаются в течение длительного времени после включения (выключения) света. Обсуждается взаимосвязь фотодиэлектрических явлений с особенностями структуры полупроводника, в частности, с наличием электронов неподеленной пары, принадлежащей катионам Pb²⁺. PACS: 73.50.Pz, 77.22.Gm, 81.40.Tv

V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii. J. Non-Cryst. Sol., 351, 2849 (2005)
V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii, S.A. Potachov. J. Non-Cryst. Sol., 305, 136 (2002)
V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii, S.A. Potachov. In: Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Online, Photodielectric effect (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
P.K.C. Pillai, R. Nath. Phys. Status Solidi A, 37, 491 (1976)
В.А. Извозчиков, О.В. Тимофеев. Фотопроводящие окислы свинца в электронике (Л., Энергия, 1979)
Р. Гиллеспи, И. Харгитаи. Модель отталкивания электронных пар валентной оболочки и строение молекул (М., Мир, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель