Вышедшие номера
Неустойчивость тока и N-образная вольт-амперная характеристика в кремниевом p-i-n-диоде в магнитном поле
Камилов И.К.1, Алиев К.М.1, Алиев Б.Г.1, Ибрагимов Х.О.1, Абакарова Н.С.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 28 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Приведены экспериментальные результаты исследования p-i-n-структур на основе электронного кремния с удельным сопротивлением rho=120 Ом·см. Исследовались динамические S-образные вольт-амперные характеристики при различных значениях приложенного магнитного поля. Обнаружено возникновение колебаний тока и напряжения большой амплитуды при 2 кЭ. Дальнейший рост величины магнитного поля приводит к нарастанию амплитуды колебаний и появлению высокочастотной моды колебаний с частотой ~3 МГц, которая модулирует низкочастотную. Магнитное поле выше 5 кЭ уменьшает амплитуду обеих мод колебаний тока и полностью подавляет колебания в цепи, S-образность исчезает. В соответствии с теорией на экспериментальных вольт-амперных характеристиках впервые обнаружены участки отрицательной дифференциальной проводимости N-типа при выполнении условия сильного магнитного поля, выбранной геометрии образца и соответствующих значениях электрического поля. PACS: 73.40.Lg