Уменьшение плотности ловушечных центров в оксиде кремния при радиационно-термической обработке
Воронкова Г.М.1, Попов В.Д.1, Протопопов Г.А.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Приводятся результаты обработки экспериментальных сток-затворных характеристик тестовых МОП транзисторов после облучения быстрыми электронами и последующей термообработки. Показано уменьшение ловушечных центров в оксиде в результате радиационно-термической обработки. PACS: 61.80.Fe, 65.40.Gr, 73.40.Qv, 81.40.Wx, 85.30.Tv
- И.И. Катеринич, Ф.М. Курин, В.Д. Попов. Вопр. атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия, вып. 3-4, 127 (1995)
- З.Ф. Васильева, В.И. Ванин, Ш.Н. Исляев, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, В.В. Федосов. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-99" (М., СПЭЛС-НИИП, 1999) вып. 2, с. 41
- P.J. Mc Whorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), 133 (1986)
- C.W. Gwyn. J. Appl. Phys., 40 (12), 4886 (1969)
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
- В.А. Болисов, Л.Н. Патрикеев, В.Д. Попов. Микроэлектроника, 12 (5), 477 (1983)
- Е.А. Репникова. Кристаллография, 43 (2), 361 (1998)
- H. Hosono, Y. Ikuta, T. Kinoshita, K. Kajihara, M. Hirano. Phys. Rev. Lett., 87 (17), 175 501 (2001)
- В.Д. Попов, Г.А. Протопопов. Микроэлектроника, 35 (5), 304 (2006)
- Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук