"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Уменьшение плотности ловушечных центров в оксиде кремния при радиационно-термической обработке
Воронкова Г.М.1, Попов В.Д.1, Протопопов Г.А.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Приводятся результаты обработки экспериментальных сток-затворных характеристик тестовых МОП транзисторов после облучения быстрыми электронами и последующей термообработки. Показано уменьшение ловушечных центров в оксиде в результате радиационно-термической обработки. PACS: 61.80.Fe, 65.40.Gr, 73.40.Qv, 81.40.Wx, 85.30.Tv
  1. И.И. Катеринич, Ф.М. Курин, В.Д. Попов. Вопр. атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия, вып. 3-4, 127 (1995)
  2. З.Ф. Васильева, В.И. Ванин, Ш.Н. Исляев, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, В.В. Федосов. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-99" (М., СПЭЛС-НИИП, 1999) вып. 2, с. 41
  3. P.J. Mc Whorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), 133 (1986)
  4. C.W. Gwyn. J. Appl. Phys., 40 (12), 4886 (1969)
  5. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
  6. В.А. Болисов, Л.Н. Патрикеев, В.Д. Попов. Микроэлектроника, 12 (5), 477 (1983)
  7. Е.А. Репникова. Кристаллография, 43 (2), 361 (1998)
  8. H. Hosono, Y. Ikuta, T. Kinoshita, K. Kajihara, M. Hirano. Phys. Rev. Lett., 87 (17), 175 501 (2001)
  9. В.Д. Попов, Г.А. Протопопов. Микроэлектроника, 35 (5), 304 (2006)
  10. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.